This content is Free Access.
Chapters
- 00:04Title
- 01:03Sample Preparation for Resist Coating
- 02:27Load Sample in STEM, Map Window Coordinates, and Perform High-Resolution Focusing
- 04:54Expose Patterns Using an Aberration-Corrected STEM Equipped with a Pattern Generator System
- 06:44Resist Development and Critical Point Drying
- 08:09Results: Nanometer-Scale Lithographic Patterns in HSQ and PMMA (Positive and Negative Tone)
- 09:14Conclusion
Vi använder en aberration-korrigerade skanning transmissionselektronmikroskop för att definiera ensiffriga nanometer mönster i två utbredda elektronstråle motstår: poly (polymetylmetakrylat) och väte silsesquioxane. Motstå mönster kan replikeras i målet material val med ensiffriga nanometer trohet med liftoff, plasma etsning, och motstå infiltration av organometallics.
