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Reconstrução de perfil de profundidade 3D de impurezas segregadas usando espectrometria de massa de íons secundários
JoVE 신문
화학
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JoVE 신문 화학
3D Depth Profile Reconstruction of Segregated Impurities Using Secondary Ion Mass Spectrometry

Reconstrução de perfil de profundidade 3D de impurezas segregadas usando espectrometria de massa de íons secundários

DOI:
10.3791/61065-v

•

07:10 min

•

April 29, 2020

•

, , , ,
1Łukasiewicz Research Network-Institute of Electronic Materials Technology

Chapters

  • 00:00Introduction
  • 00:57Defect Selective Etching
  • 02:09Scanning Electron Microscopy
  • 02:50Secondary Ion Mass Spectrometry
  • 05:34Results: Oxygen Counts in a Cuboid
  • 06:29Conclusion

Summary

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O método apresentado descreve como identificar e resolver artefatos de medição relacionados à espectrometria de massa de íons secundários, bem como obter distribuições 3D realistas de impurezas/dopantes em materiais de estado sólido.

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3D Depth ProfileSegregated ImpuritiesSecondary Ion Mass SpectrometrySemiconductor TechnologyStructural DefectsEutectic MixtureDefect-selective EtchingGallium NitrideScanning Electron MicroscopySIMS Calibration

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