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Analyse quantitative de site atomique de dopants fonctionnels/défauts ponctuels dans des matériaux cristallins par microanalyse améliorée par canalisation électronique
JoVE 신문
화학
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JoVE 신문 화학
Quantitative Atomic-Site Analysis of Functional Dopants/Point Defects in Crystalline Materials by Electron-Channeling-Enhanced Microanalysis
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Analyse quantitative de site atomique de dopants fonctionnels/défauts ponctuels dans des matériaux cristallins par microanalyse améliorée par canalisation électronique

DOI:
10.3791/62015-v

•

07:24 min

•

May 10, 2021

•

,
1Electron Nanoscopy Division, Advanced Measurement Technology Center, Institute of Materials & Systems for Sustainability,Nagoya University

Chapters

  • 00:04Introduction
  • 00:59Transmission Electron Microscopy (TEM) Alignment for Beam-Rocking
  • 02:36Incident Beam Collimation and Pivot Point Setup
  • 03:47Electron-Channeling Pattern (ECP) Acquisition
  • 04:30Energy-Dispersive X-Ray Analysis
  • 05:10Results: Representative ECP and ICP Emission Imaging
  • 06:46Conclusion

Summary

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Nous fournissons un aperçu général des méthodes de microanalyse quantitative pour estimer l’occupation du site des impuretés et de leurs états chimiques en tirant parti des phénomènes de canalisation d’électrons dans des conditions incidentes de bascule de faisceau d’électrons, qui extraient de manière fiable des informations des espèces minoritaires, des éléments légers, des vides d’oxygène et d’autres défauts ponctuels / linéaires / planaires.

Tags

Keywords: Quantitative AnalysisAtomic-siteFunctional DopantsPoint DefectsCrystalline MaterialsElectron-channeling-enhanced MicroanalysisEnergy-dispersive X-ray SpectroscopyElectron Energy-loss SpectroscopyLattice DefectsVacanciesInterstitialsGrain BoundariesTransmission Electron MicroscopySTEMOptical Axis AlignmentBeam RockingCaustic SpotCondenser Aperture

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