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Análise quantitativa do local atômico de defeitos funcionais/pontos em materiais cristalinos por Microanálise Aprimorada por Canalização eletrônica
JoVE 신문
화학
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JoVE 신문 화학
Quantitative Atomic-Site Analysis of Functional Dopants/Point Defects in Crystalline Materials by Electron-Channeling-Enhanced Microanalysis

Análise quantitativa do local atômico de defeitos funcionais/pontos em materiais cristalinos por Microanálise Aprimorada por Canalização eletrônica

DOI:
10.3791/62015-v

•

07:24 min

•

May 10, 2021

•

,
1Electron Nanoscopy Division, Advanced Measurement Technology Center, Institute of Materials & Systems for Sustainability,Nagoya University

Chapters

  • 00:04Introduction
  • 00:59Transmission Electron Microscopy (TEM) Alignment for Beam-Rocking
  • 02:36Incident Beam Collimation and Pivot Point Setup
  • 03:47Electron-Channeling Pattern (ECP) Acquisition
  • 04:30Energy-Dispersive X-Ray Analysis
  • 05:10Results: Representative ECP and ICP Emission Imaging
  • 06:46Conclusion

Summary

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Fornecemos um esboço geral de métodos quantitativos de microanálise para estimar as ocupações do local de impurezas e seus estados químicos, aproveitando fenômenos de canalização eletrônica sob condições de agitação de raios-elétron incidentes, que extraem informações confiáveis de espécies minoritárias, elementos de luz, vagas de oxigênio e outros defeitos point/line/planar.

Tags

Keywords: Quantitative AnalysisAtomic-siteFunctional DopantsPoint DefectsCrystalline MaterialsElectron-channeling-enhanced MicroanalysisEnergy-dispersive X-ray SpectroscopyElectron Energy-loss SpectroscopyLattice DefectsVacanciesInterstitialsGrain BoundariesTransmission Electron MicroscopySTEMOptical Axis AlignmentBeam RockingCaustic SpotCondenser Aperture

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