We describe key steps for biosensing by using polysilicon nanowire field-effect transistors, including the preparation of the device and the immobilization and confirmation of a DNA molecular probe on the nanowire surface, as well as conditions for DNA sensing.
Surveillance using biomarkers is critical for the early detection, rapid intervention, and reduction in the incidence of diseases. In this study, we describe the preparation of polycrystalline silicon nanowire field-effect transistors (pSNWFETs) that serve as biosensing devices for biomarker detection. A protocol for chemical and biomolecular sensing by using pSNWFETs is presented. The pSNWFET device was demonstrated to be a promising transducer for real-time, label-free, and ultra-high-sensitivity biosensing applications. The source/drain channel conductivity of a pSNWFET is sensitive to changes in the environment around its silicon nanowire (SNW) surface. Thus, by immobilizing probes on the SNW surface, the pSNWFET can be used to detect various biotargets ranging from small molecules (dopamine) to macromolecules (DNA and proteins). Immobilizing a bioprobe on the SNW surface, which is a multistep procedure, is vital for determining the specificity of the biosensor. It is essential that every step of the immobilization procedure is correctly performed. We verified surface modifications by directly observing the shift in the electric properties of the pSNWFET following each modification step. Additionally, X-ray photoelectron spectroscopy was used to examine the surface composition following each modification. Finally, we demonstrated DNA sensing on the pSNWFET. This protocol provides step-by-step procedures for verifying bioprobe immobilization and subsequent DNA biosensing application.
transistor ad effetto di campo Silicon nanowire (SNWFETs) presentano i vantaggi di ultra-elevata sensibilità e risposte elettriche scalo a variazione tassa ambientale. In tipo n SNWFETs per esempio, quando una molecola negativo (o positivo) addebitato avvicina alla nanowire silicio (SNW), i vettori nel SNW sono esauriti (o accumulano). Di conseguenza, la conduttività della SNWFET diminuisce (o aumenta) 1. Pertanto, qualsiasi molecola carica vicino alla superficie SNW del dispositivo SNWFET può essere rilevato. biomolecole vitali tra cui enzimi, proteine, nucleotidi, e molte molecole sulla superficie cellulare sono portatori di carica e possono essere monitorati utilizzando SNWFETs. Con opportune modifiche, in particolare immobilizzanti una sonda biomolecolare sul SNW, un SNWFET può essere sviluppato in un biosensore senza etichetta.
Sorveglianza utilizzando biomarcatori è fondamentale per la diagnosi delle malattie. Come mostrato nella Tabella 1, diversi studi hanno utilizzato NWFEBiosensori T-based per label-free, ultra-alta sensibilità, e la rilevazione in tempo reale dei vari bersagli biologici, tra cui un singolo virus 2, adenosina trifosfato e chinasi vincolante 3, i segnali neuronali 4, ioni metallici 5,6, tossine batteriche 7, 8 della dopamina, DNA 9-11, RNA 12,13, enzimi e biomarcatori tumorali 14-19, ormoni umani 20, e citochine 21,22. Questi studi hanno dimostrato che biosensori basati NWFET rappresentano una piattaforma di rilevazione potente per una vasta gamma di specie chimiche e biologiche in una soluzione.
In biosensori basati SNWFET, la sonda immobilizzata sulla superficie SNW del dispositivo riconosce una biotarget specifico. Immobilizzare un Bioprobe solito comporta una serie di passaggi, ed è fondamentale che ogni passo viene eseguito correttamente per garantire il corretto funzionamento del biosensore. Varie tecniche sono state sviluppate per analizzare le sComposizione urface, compresi raggi X spettroscopia fotoelettronica (XPS), ellissometria, misura dell'angolo di contatto, microscopia a forza atomica (AFM) e microscopia elettronica a scansione (SEM). Metodi come AFM e SEM forniscono prove dirette di Bioprobe immobilizzazione sul dispositivo nanofilo, mentre i metodi, come XPS, ellissometria, e la misurazione dell'angolo di contatto dipendono esperimenti paralleli condotti su altri materiali simili. In questo rapporto, descriviamo la conferma di ogni fase di modifica utilizzando due metodi indipendenti. XPS viene usato per esaminare le concentrazioni di atomi specifici su wafer di silicio policristallino, e variazioni nelle proprietà elettriche del dispositivo sono misurate direttamente per confermare la variazione di carica sulla superficie SNW. Impieghiamo biosensing DNA utilizzando SNWFETs policristallini (pSNWFETs) come un esempio per illustrare questo protocollo. Immobilizzare una sonda di DNA sulla superficie SNW comporta tre fasi: ammina modifica gruppo ossidrile sulla superficie nativa del SNW, almodifica gruppo deide, e 5'-aminomodified immobilizzazione della sonda di DNA. Ad ogni fase di modifica, il dispositivo può rilevare direttamente la variazione della carica del gruppo funzionale immobilizzato sulla superficie SNW, perché le cariche superficiali causano variazioni potenziali interfacciali locali oltre il dielettrico di gate che alterano la corrente del canale e conduttanza 1. Spese che circondano la superficie SNW può modulare elettricamente le proprietà elettriche del dispositivo pSNWFET; Pertanto, le proprietà superficiali del SNW giocano un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche dei dispositivi pSNWFET. Nelle procedure riportate, l'immobilizzazione di un Bioprobe sulla superficie SNW può essere determinata direttamente e confermata attraverso la misurazione elettrica, e il dispositivo è predisposto per applicazioni biosensori.
Commercializzazione del top-down e bottom-up fabbricazione approcci per sSNWFETs è considerato difficile a causa del suo costo 32,33, SNW controllo di posizione 34,35, e la sua bassa produzione di scala 36. Al contrario, la fabbricazione pSNWFETs è semplice e di basso costo 37. Attraverso l'approccio top-down e la combinazione con la tecnica di formazione laterale distanziale (figura 1), la dimensione del SNW può essere controllata regolando la durata d…
The authors have nothing to disclose.
This research was financially supported by Ministry of Science and Technology, Taiwan (104-2514-S-009 -001, 104-2627-M-009-001 and 102-2311-B-009-004-MY3). We thank the National Nano Device Laboratories (NDL) for its valuable assistance during device fabrication and analysis.
Acetone | ECHO | AH-3102 | |
(3-Amonopropyl)triethoxysilane (APTES), ≥98% | Sigma-Aldrich | A3648 | Danger |
Ethanol, anhydrous, 99.5% | ECHO | 484000203108A-72EC | |
Glutaraldehyde solution (GA), 50% | Sigma-Aldrich | G7651 | Avoid light |
Sodium cyanoborohydride, ≥95.0% | Fluka | 71435 | Danger and deliquescent |
Sodium phosphate tribasic dodecahydrate, ≥98% | Sigma | 04277 | |
Phosphoric acid, ≥99.0% | Fluka | 79622 | Deliquescent |
Photoresist (iP3650) | Tokyo Ohka Kogyo Co., LTD | THMR-iP3650 HP | |
Synthetic oligonucleotides, HPLC purified | Protech Technology | ||
Tris(hydroxymethyl)aminomethane (Tris), ≥99.8% | USB | 75825 | |
Keithley 2636 System SourceMeter | Keithley | ||
SR830 DSP Lock-In Amplifier | Stanford Research Systems | ||
SR570 Low-noise Current Preamplifier | Stanford Research Systems | ||
Ni PXI Express | National Instruments |