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Träger Lebensdauer Messungen in Halbleitern durch die Mikrowellen-Photoconductivity-Decay-Methode
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Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method
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Träger Lebensdauer Messungen in Halbleitern durch die Mikrowellen-Photoconductivity-Decay-Methode

DOI:
10.3791/59007-v

•

07:38 min

•

April 18, 2019

•

, ,
1Department of Electrical & Mechanical Engineering,Nagoya Institute of Technology, 2Frontier Research Institute for Material Science,Nagoya Institute of Technology

Capítulos

  • 00:04Título
  • 00:49Preparation of the Sample and Aqueous Solutions
  • 01:44Preparation of the Measuring Equipment
  • 03:36Measurement and Data Processing
  • 05:47Results: Normalized and Calculated μ-PCD Decay Curves for the n-type 4H-SIC Sample in Air and Aqueous Solutions
  • 06:29Conclusion

Summary

Tadução automática

Tadução automática

Als eines der wichtigen physikalischen Parameter in Halbleitern ist Träger Lebensdauer hierin über ein Protokoll mit der Mikrowelle Photoconductivity Zerfall Methode gemessen.

Tags

Carrier LifetimeSemiconductorMicrowave Photoconductivity DecayMicro-PCD4H Silicon CarbideAqueous SolutionPulsed LaserPhotodiodeOscilloscopeMicrowave WaveguideSchottky Barrier DiodeGun Diode

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