Fabricação do contato de nanoscale robusto entre um elétrodo de nanowire de prata e a camada do amortecedor dos CdS em células solares do fino-filme do se2 de UC (em, GA)

Sangyeob Lee; Kyung Soo Cho; Soomin Song; Kihwan Kim; Young-Joo Eo; Jae Ho Yun; Jihye Gwak; Choong-Heui Chung

doi:10.3791/59909

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Artigo de método

Fabricação do contato de nanoscale robusto entre um elétrodo de nanowire de prata e a camada do amortecedor dos CdS em células solares do fino-filme do se₂ de UC (em, GA)

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DOI:

10.3791/59909

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19 de julho de 2019

Sangyeob Lee¹^,² , Kyung Soo Cho² , Soomin Song³ , Kihwan Kim³^,⁴ , Young-Joo Eo³^,⁴ , Jae Ho Yun³^,⁴ , Jihye Gwak³^,⁴ , Choong-Heui Chung¹^,²

¹Department of Materials Science and Engineering, Hanbat National University, ²Department of Materials and Manufacturing Engineering, Hanbat National University, ³Photovoltaics Laboratory, Korea Institute of Energy Research, ⁴Renewable Energy Engineering, University of Science and Technology, Daejeon

Neste artigo

Resumo

Neste protocolo, nós descrevemos o procedimento experimental detalhado para a fabricação de um contato de nanoescala robusto entre uma rede de nanofio de prata e a camada do amortecedor dos CDs em uma pilha solar da fino-película de CIGS.

Resumo

Os elétrodos transparentes de nanofio de prata foram empregados como camadas de janela para o (em, GA) se₂ células solares da fino-película do UC. Os elétrodos de nanofio de prata desencapados resultam geralmente no desempenho muito pobre da pilha. Incorporar ou imprensar nanofios de prata usando materiais transparentes moderadamente condutivos, tais como o óxido da lata do índio ou o óxido de zinco, podem melhorar o desempenho da pilha. No entanto, as camadas de matriz processadas por solução podem causar um número significativo de defeitos interfaciais entre eletrodos transparentes e o buffer de CdS, o que pode resultar em baixo desempenho celular. Este manuscrito descreve como fabricar um contato elétrico robusto entre um eletrodo de nanofio de prata e a camada de buffer de CDs subjacente em uma célula solar de UC (in, GA) se₂ , permitindo alto desempenho celular usando nanofio de prata sem matriz transparente Eletrodos. O elétrodo de prata Matrix-livre do nanofio fabricado por nosso método prova que a capacidade da coleção da carga-portador de pilhas eletrodo-baseadas nanofio de prata é tão boa quanto aquela de pilhas padrão com o ZnO sputtered: Al/i-ZnO contanto que os nanofios de prata e CdS têm contato elétrico de alta qualidade. O contato elétrico de alta qualidade foi conseguido depositando uma camada adicional dos CDs tão fina quanto 10 nanômetro na superfície de nanofio de prata.

Introdução

As redes de nanofio de prata (agnw) foram estudadas extensivamente como uma alternativa ao óxido de estanho do índio (ITO) transparente que conduz películas finas devido a suas vantagens sobre os óxidos de condução transparentes convencionais (TCOs) nos termos de um custo de processamento mais baixo e melhor flexibilidade mecânica. Solução-processado AgNW rede transparente eletrodos condutores (TCEs) têm sido, portanto, empregado em UC (in, GA) se₂(CIGS) células solares de película fina¹^,²^,³^,⁴^,⁵....