É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo. Faça login ou comece sua avaliação gratuita.
Capítulos
- 00:05Título
- 01:21Etching of the Mesa
- 05:53Fabrication of the Ohmic Contacts
- 08:38Fabrication of the Titanium/Gold Schottky Leads
- 10:45Fabrication of the Aluminum Gates
- 11:08Fabrication of the Bonding Pads
- 11:54Dicing of the Sample
- 12:50Bonding
- 13:07Results: Confirming Gate Integrity
- 15:14Conclusion
Denne artikel præsenterer en detaljeret fabrikation protokol for gate-definerede halvleder laterale kvante prikker på galliumarsenid heterostrukturer. Disse nanoskala enheder bruges til at fælde nogle elektroner til brug som kvante bits i kvanteinformation forarbejdning eller for andre mesoskopiske eksperimenter såsom kohærente konduktans målinger.
