É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo. Faça login ou comece sua avaliação gratuita.
Capítulos
- 00:05Título
- 01:21Etching of the Mesa
- 05:53Fabrication of the Ohmic Contacts
- 08:38Fabrication of the Titanium/Gold Schottky Leads
- 10:45Fabrication of the Aluminum Gates
- 11:08Fabrication of the Bonding Pads
- 11:54Dicing of the Sample
- 12:50Bonding
- 13:07Results: Confirming Gate Integrity
- 15:14Conclusion
Dit document presenteert een gedetailleerde fabricage protocol voor gate-gedefinieerde halfgeleider laterale quantum dots op galliumarsenide heterostructuren. Deze nanoschaal apparaten worden gebruikt om enkele elektronen vangen voor gebruik als quantum bits in quantum information processing of voor andere mesoscopic experimenten zoals coherent geleidingsmetingen.
