Journal
/
/
Nanofabrication של השער שהוגדרו GaAs / AlGaAs נקודות קוונטיות רוחביות
JoVE Journal
Engenharia
É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo.  Faça login ou comece sua avaliação gratuita.
JoVE Journal Engenharia
Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
DOI:

15:47 min

November 01, 2013

, ,

Capítulos

  • 00:05Título
  • 01:21Etching of the Mesa
  • 05:53Fabrication of the Ohmic Contacts
  • 08:38Fabrication of the Titanium/Gold Schottky Leads
  • 10:45Fabrication of the Aluminum Gates
  • 11:08Fabrication of the Bonding Pads
  • 11:54Dicing of the Sample
  • 12:50Bonding
  • 13:07Results: Confirming Gate Integrity
  • 15:14Conclusion

Summary

Tadução automática

מאמר זה מציג פרוטוקול ייצור מפורט לשער שהוגדרו נקודות קוונטיות של מוליכים למחצה לרוחב על heterostructures arsenide גליום. התקני ננו אלה משמשים כדי ללכוד כמה אלקטרונים לשימוש כביטים קוונטיים בעיבוד אינפורמציה קוונטית או לניסויים אחרים Mesoscopic כגון מדידות מוליכות קוהרנטית.

Vídeos Relacionados

Read Article