Journal
/
/
Nanofabrikasjon av Gate-definerte GaAs / AlGaAs Lateral Quantum Dots
JoVE Journal
Engenharia
É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo.  Faça login ou comece sua avaliação gratuita.
JoVE Journal Engenharia
Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
DOI:

15:47 min

November 01, 2013

, ,

Capítulos

  • 00:05Título
  • 01:21Etching of the Mesa
  • 05:53Fabrication of the Ohmic Contacts
  • 08:38Fabrication of the Titanium/Gold Schottky Leads
  • 10:45Fabrication of the Aluminum Gates
  • 11:08Fabrication of the Bonding Pads
  • 11:54Dicing of the Sample
  • 12:50Bonding
  • 13:07Results: Confirming Gate Integrity
  • 15:14Conclusion

Summary

Tadução automática

Dette notatet presenterer en detaljert fabrikasjon protokoll for gate-definerte halvleder lateral quantum prikker på galliumarsenid heterostruktur. Disse nanoskala enheter brukes til å felle noen elektroner til bruk som quantum bits i quantum informasjonsbehandling eller for andre mesoskopisk eksperimenter som sammenhengende ledningsevne målinger.

Vídeos Relacionados

Read Article