Journal
/
/
Analyse af kontaktflader til enlige GaN Nanotråd Devices
JoVE Journal
Engenharia
É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo.  Faça login ou comece sua avaliação gratuita.
JoVE Journal Engenharia
Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices
DOI:

11:13 min

November 15, 2013

, ,

Capítulos

  • 00:05Título
  • 01:32Wafer Preparation
  • 03:14Photolithography of Contact Pattern
  • 04:55Electron-beam Evaporation of Contact Metals
  • 06:29Contact Metal Lift-off and Annealing
  • 07:38Ni/Au Film Removal
  • 09:04Results: Annealed Ni/Au Films Removed with Carbon Tape
  • 10:45Conclusion

Summary

Tadução automática

En teknik blev udviklet som fjerner Ni / Au kontakt metalfilm fra deres substrat at give mulighed for undersøgelse og karakterisering af kontakten / substrat og kontakt / NW grænseflader enkelt GaN Nanotråd enheder.

Vídeos Relacionados

Read Article