Journal
/
Engenharia
/
Analisi di contatto Interfacce semplici dispositivi GaN nanowire
JoVE Journal
Engenharia
É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo.  Faça login ou comece sua avaliação gratuita.
JoVE Journal Engenharia
Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

Analisi di contatto Interfacce semplici dispositivi GaN nanowire

DOI:
10.3791/50738-v

•

11:13 min

•

November 15, 2013

•

, ,
1Quantum Electronics and Photonics Division,National Institute of Standards and Technology

Capítulos

  • 00:05Título
  • 01:32Wafer Preparation
  • 03:14Photolithography of Contact Pattern
  • 04:55Electron-beam Evaporation of Contact Metals
  • 06:29Contact Metal Lift-off and Annealing
  • 07:38Ni/Au Film Removal
  • 09:04Results: Annealed Ni/Au Films Removed with Carbon Tape
  • 10:45Conclusion

Summary

Tadução automática

Tadução automática

La tecnica è stata sviluppata che rimuove i film di contatto in metallo Ni / Au dal loro substrato per consentire l'esame e la caratterizzazione del contatto / substrato e le interfacce di contatto / NO di singoli dispositivi GaN nanowire.

Tags

Keywords: GaN NanowireContact InterfaceVoid FormationContact Metal RemovalNi/Au ContactsSiO2 SubstrateContact AdhesionContact MorphologyResidual Contamination

Article

Embed

ADICIONAR À PLAYLIST

Usage Statistics

Vídeos Relacionados

check_url/pt/50738?article_type=v

Monostrato Contatto doping di silicio superfici e nanofili Uso organofosforici Composti
check_url/pt/50738?article_type=v

Tecniche di misurazione termali in Analytical dispositivi microfluidici
check_url/pt/50738?article_type=v

Crescita senza semi di bismuto Nanowire Array via Vacuum evaporazione termica
check_url/pt/50738?article_type=v

Bonding solvente per la fabbricazione di PMMA e COP dispositivi microfluidici
check_url/pt/50738?article_type=v

Metodologia basata sulla scansione della luce di scansione (SLPS) per valutare quantitativamente la diffusione della luce avanti e indietro dalle lenti intraoculari
check_url/pt/50738?article_type=v

Flusso-assistita dielettroforesi: Un metodo a basso costo per la realizzazione di dispositivi ad alte prestazioni soluzione-processable Nanowire
check_url/pt/50738?article_type=v

Pressione atmosferica fabbricazione di fiocchi di medie e grandi monostrato rettangolare SnSe
check_url/pt/50738?article_type=v

Fabbricazione di dispositivi rifrangenti-Indice-abbinati per biomedica microfluidica
check_url/pt/50738?article_type=v

Fabbricazione di robusto contatto nanoscala tra un'elettroda Nanowire d'argento e CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 thin-film Solar Cells
check_url/pt/50738?article_type=v

Monitoraggio delle crepe nei test di fatica di risonanza di campioni saldati utilizzando la correlazione digitale delle immagini

Read Article