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Em análises profundidade de LEDs por uma combinação de raios-X Tomografia Computadorizada (CT) e Microscopia de Luz (LM) correlacionada com Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV)
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In Depth Analyses of LEDs by a Combination of X-ray Computed Tomography (CT) and Light Microscopy (LM) Correlated with Scanning Electron Microscopy (SEM)

Em análises profundidade de LEDs por uma combinação de raios-X Tomografia Computadorizada (CT) e Microscopia de Luz (LM) correlacionada com Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV)

DOI:
10.3791/53870-v

•

10:42 min

•

June 16, 2016

•

, , ,
1Department Lippstadt,Hamm-Lippstadt University of Applied Sciences

Capítulos

  • 00:05Título
  • 01:14Performance of Computed Tomography (CT) Scan
  • 03:07Micro Preparation
  • 05:06Light Microscopy (LM) Measurement Setup
  • 06:15Light Microscopy Characterization
  • 07:16Scanning Electron Microscopy (SEM) Analysis
  • 08:32Results: Comprehensive Micro-characterization of an Active Light Emitting Diode
  • 09:49Conclusion

Summary

Tadução automática

Tadução automática

Um fluxo de trabalho para abrangente micro-caracterização de dispositivos ópticos ativos é descrito. Ele contém investigações estruturais, bem como funcionais por meio de CT, LM e SEM. O método é demonstrado por um LED branco, que pode ser ainda ser operada durante caracterização.

Tags

X-ray Computed Tomography (CT)Light Microscopy (LM)Scanning Electron Microscopy (SEM)Micro-characterizationFailure AnalysisReverse EngineeringMicroelectronic DevicesOptical PropertiesMicrostructureComposite MaterialsAuto-scan OptimizerDetector ShiftSample PreparationEpoxy ResinSilver Wire

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