/
/
Anvendelse af offer Nanopartikler at fjerne virkningerne af Shot-støj i Kontakt Huller Bearbejdede af E-beam litografi
É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo. Faça login ou comece sua avaliação gratuita.
Capítulos
- 00:05Título
- 01:20Derivatization and Characterization of Silicon Wafer Surfaces
- 02:14Gold Nanoparticle (GNP) Deposition into E-beam-patterned Holes
- 03:46Pol(methyl methacrylate) (PMMA) Photoresist Reflow and Dry- and Wet-etching
- 04:50Results: Reduction of Shot-noise by Deposition and Subsequent Etching of Sacrificial GNPs
- 06:29Conclusion
Ensartet størrelse nanopartikler kan fjerne udsving i anlægshullet dimensioner mønstrede i poly (methylmethacrylat) (PMMA) fotoresist film ved elektronstråle (e-stråle) litografi. Processen involverer elektrostatiske kanalisere til centrum og depositum nanopartikler i kontakt huller, efterfulgt af fotoresist reflow og Plasma- og våd-ætsning trin.
