Journal
/
Engenharia
/
-Plasma ondersteunde Moleculaire bundel epitaxie van N-polaire InAlN-barrière High-elektron-mobiliteit Transistors
JoVE Journal
Engenharia
É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo.  Faça login ou comece sua avaliação gratuita.
JoVE Journal Engenharia
Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

-Plasma ondersteunde Moleculaire bundel epitaxie van N-polaire InAlN-barrière High-elektron-mobiliteit Transistors

DOI:
10.3791/54775-v

•

10:31 min

•

November 24, 2016

•

, , , , ,
1NRC Postdoctoral Scholar,Naval Research Laboratory, 2Electronics Science and Technology Division,Naval Research Laboratory

Capítulos

  • 00:05Título
  • 00:53RF-assisted Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) System and Sample Preparation
  • 04:36N-polar InAIN-barrier High-electron-mobility Transistor (HEMT) Growth
  • 08:03Results: N-polar InAIN-barriers High-electron-mobility Transistors Grown with PAMBE
  • 09:30Conclusion

Summary

Tadução automática

Tadução automática

Moleculaire bundel epitaxie wordt gebruikt om N-polar InAlN-barrier high-elektron-mobiliteit transistoren (HEMTs) groeien. Controle van de wafer voorbereiding, laag groeiomstandigheden en epitaxiale structuur resulteert in gladde, compositorisch homogene InAlN lagen en HEMTs die slecht ter been zo hoog als 1750 cm2 / V ∙ sec.

Tags

Plasma-assisted Molecular Beam EpitaxyN-polar InAlN-barrier High-electron-mobility TransistorsSemiconductor MaterialsWide Bandgap TransistorsGallium Nitride SubstrateOutgassingSubstrate Transfer

Article

Embed

ADICIONAR À PLAYLIST

Usage Statistics

Vídeos Relacionados

check_url/pt/54775?article_type=v

Moleculaire Beam massaspectrometrie met afstelbare Vacuum Ultraviolet (VUV) Synchrotron Radiation
check_url/pt/54775?article_type=v

Ruimtelijke scheiding van moleculaire conformers en clusters
check_url/pt/54775?article_type=v

Meting van röntgenbundel coherentie langs meerdere richtingen gebruiken 2-D schaakbord faseraster
check_url/pt/54775?article_type=v

Speciatie en biologische beschikbaarheid Metingen van Milieu Plutonium gebruik van Diffusion in Thin Films
check_url/pt/54775?article_type=v

Effect van Buigen op de elektrische eigenschappen van flexibele organische Single Crystal-gebaseerde field-effect transistors
check_url/pt/54775?article_type=v

Gerichte Ion Beam fabricage van LiPON gebaseerde Solid-state Lithium-ion Nanobatteries voor het testen van In Situ

check_url/pt/54775?article_type=v

Fabricage van Schottky Diodes op Zn-polaire BeMgZnO/ZnO Heterostructure gegroeid door moleculaire Beam Plasma-bijgewoonde epitaxie
check_url/pt/54775?article_type=v

Single-Digit Nanometer Electron-Beam Lithography met aberratie-gecorrigeerde scannen transmissie elektronenmicroscoop
check_url/pt/54775?article_type=v

Voorbereiding van een Isotopisch zuivere 229e Ion Beam voor studies van 229mth
check_url/pt/54775?article_type=v

Demonstratie van gelijke-intensiteit Beam generatie door diëlektrische meta vlakken

Read Article