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assisté par plasma épitaxie par faisceau moléculaire de N-polaire InAlN-barrière Transistors à haute mobilité d'électrons
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Capítulos
- 00:05Título
- 00:53RF-assisted Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) System and Sample Preparation
- 04:36N-polar InAIN-barrier High-electron-mobility Transistor (HEMT) Growth
- 08:03Results: N-polar InAIN-barriers High-electron-mobility Transistors Grown with PAMBE
- 09:30Conclusion
Épitaxie par jets moléculaires est utilisé pour pousser N-polaires transistors InAlN-barrière élevée à électrons-mobilité (HEMT). Contrôle de la préparation de la plaquette, les conditions de croissance de la couche et la structure épitaxiale résultats dans lisses, des couches et HEMT de InAlN de composition homogène à mobilité aussi élevée que 1,750 cm 2 / V ∙ sec.
