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큰 지역 수직 2D 크리스탈 Hetero-구조 장치 제조에 전이 금속 영화 Sulfurization의 준비

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Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication

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큰 지역 수직 2D 크리스탈 Hetero-구조 장치 제조에 전이 금속 영화 Sulfurization의 준비

DOI:

10.3791/56494-v

•

08:50 min

•

November 28, 2017

•

Chong-Rong Wu², Tung-Wei Chu³, Kuan-Chao Chen², Shih-Yen Lin²

¹Graduate Institute of Electronics Engineering,National Taiwan University, ²Research Center for Applied Sciences,Academia Sinica, ³Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,National Taiwan University

Capítulos

00:05Título
00:47WS₂/MoS₂Vertical Heterostructure Growth
03:49Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer
06:21Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance
08:11Conclusion

Summary

Tadução automática

미리 입금된 전이 금속 sulfurization를 통해 큰 지역 및 수직 2D 크리스탈 이종 구조 날조 될 수 있다. 영화 전송 및 장치 제조 절차는 또한이 보고서에 설명 했다.

Tags

Keywords: 2D Crystal Heterostructures Vertical 2D Materials Sulfurization Transition Metal Films Device Fabrication RF Sputtering Sapphire Substrate Molybdenum Target Sulfur Powder Tube Furnace Argon Gas Molybdenum Disulfide Tungsten Target

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