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Preparación de gran superficie 2D cristal Hetero-estructuras verticales por el Sulfurization de películas de Metal de la transición para la fabricación de dispositivos
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Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication
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Preparación de gran superficie 2D cristal Hetero-estructuras verticales por el Sulfurization de películas de Metal de la transición para la fabricación de dispositivos

DOI:
10.3791/56494-v

•

08:50 min

•

November 28, 2017

•

, , ,
1Graduate Institute of Electronics Engineering,National Taiwan University, 2Research Center for Applied Sciences,Academia Sinica, 3Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,National Taiwan University

Capítulos

  • 00:05Título
  • 00:47WS2/MoS2Vertical Heterostructure Growth
  • 03:49Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer
  • 06:21Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance
  • 08:11Conclusion

Summary

Tadução automática

Tadução automática

A través el sulfurization previamente depositados de metales de transición, se pueden fabricar cristal 2D área grande y vertical hetero-estructuras. Película de transferencia de los procedimientos de fabricación del dispositivo se demuestran también en este informe.

Tags

Keywords: 2D Crystal HeterostructuresVertical 2D MaterialsSulfurizationTransition Metal FilmsDevice FabricationRF SputteringSapphire SubstrateMolybdenum TargetSulfur PowderTube FurnaceArgon GasMolybdenum DisulfideTungsten Target

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