تلفيق من أكاسيد مجمع المحصورة مكانيا

ملخص

نحن تصف استخدام ترسب نابض ليزر (الملعوبة)، ضوئيه وتقنيات أسلاك الربط، لخلق مقياس ميكرومتر أكاسيد مجمع الأجهزة. ويستخدم PLD أن ينمو الأغشية الرقيقة الفوقي. يتم إدخال تقنيات الطباعة التصويرية وأسلاك الربط، لخلق عملية الأجهزة لأغراض القياس.

الملخص

المواد المعقدة مثل الموصلات الفائقة العالية والتعاون التقني، multiferroics، وmagnetoresistors هائلة لها خصائص الإلكترونية والمغناطيسية التي تنشأ عن المتأصلة الارتباطات الإلكترون قوية الموجودة داخلها. هذه المواد يمكن أن تمتلك أيضا مرحلة الانفصال الإلكترونية في المناطق التي من سلوك مقاوم والمغناطيسية مختلفة إلى حد كبير يمكن أن تتعايش داخل واحد مادة الكريستال سبائك. عن طريق الحد من حجم هذه المواد إلى جداول طول في وأدناه حجم المتأصلة في المجالات الإلكترونية، ويمكن أن يتعرض السلوكيات الرواية. وبسبب هذا، وحقيقة أن المعلمات النظام المداري تدور المسؤول شعرية تنطوي على كل أطوال الارتباط، والحد من مكانيا هذه المواد للمقاييس النقل هو خطوة حاسمة في فهم الفيزياء الأساسية التي تحرك السلوك المعقد. هذه المواد أيضا إمكانيات كبيرة ليصبح الجيل القادم من الأجهزة الإلكترونية ^1-3. وهكذا، فإن تصنيع منخفضة الأبعاد النانو أوهياكل الصغيرة في غاية الأهمية لتحقيق وظائف جديدة. وهذا ينطوي على عمليات التحكم متعددة من جودة النمو المرتفع رقيقة إلى توصيف دقيق للملكية الإلكترونية. هنا، فإننا نقدم بروتوكولات تلفيق المجهرية ذات جودة عالية لمجمع الأجهزة المنجنيز أكسيد. وترد أوصاف مفصلة والمعدات اللازمة للنمو رقيقة، صور الطباعة الحجرية، وأسلاك الربط.

المقدمة

أول واحدة من أهم الخطوات نحو الأجهزة ذات جودة عالية هو نمو الأغشية الرقيقة أكسيد الفوقي. يستخدم ركيزة الكريستال واحد بأنه "قالب" لإيداع المواد المستهدفة. بين أساليب مختلفة ترسب وترسب الليزر النبضي (الملعوبة) هي واحدة من أفضل الطرق للحصول على نوعية جيدة الأغشية الرقيقة ^4،5. تنطوي على عمليات النمو تسخين الركيزة إلى نحو 800 درجة مئوية في بيئة الأوكسجين وباستخدام نبضات الليزر لضرب المواد المستهدفة وتوليد تدفق لتودع على الركيزة. يظهر نظام نموذجي في الشكل 1.

في حين تم عرض أفلام unpatterned لتكشف عن فيزياء جديدة غريبة ^6، والحد م....

البروتوكول

1. عينة تلفيق النمو

1. تنظيف 5 مم × 5 مم × 0.5 مم واحد الركيزة الكريستال وجود زاوية miscut <0.1 درجة مثل SrTiO ₃ أو ₃ LaAlO مع الأسيتون ثم الماء في نظافة بالموجات فوق الصوتية لمدة 10 دقيقة لكل منهما. للحصول على تيو ₂ الإنهاء على SrTiO _3، حفر الركيزة في 10٪ فلوريد الهيدروجين لمدة 30 ثانية وشطف في الماء لمدة 1 دقيقة، تليها يصلب عند 1،100 درجة مئوية لمدة 10 ساعة. بعد التنظيف، وتركيب الركيزة على سخان مناسبة لظروف خواء تام.
2. تركيب سخان في غرفة فراغ PLD وف....

النتائج

تركز هذه الورقة في الغالب على الجوانب ضوئيه وأسلاك الربط، من إعداد العينات. مزيد من التفاصيل بشأن إجراءات النمو فيلم يمكن العثور عليها في لدينا غيرها من المنشورات الأخيرة ^8.

ضوئيه هو وسيلة هامة للسيطرة بعدية في أكاسيد معقدة لغرض التحقيق أطوال ارتباط الإلكترون ومرحلة الانفصال الإلكترونية ^9-13. ويبين الشكل 2 الصور الضوئية من الخطوات الجزئية أثناء العملية. ومن الضروري أن نشير إ.......

المناقشة

بعكس المواد شبه الموصلة عنصر واحد مثل سي، يمكن للتصنيع المواد المعقدة يكون أكثر صعوبة يرجع ذلك إلى حقيقة أن بنية معقدة ومتعددة العناصر يجب أن تؤخذ جميعها بعين الاعتبار. استخدام ضوئيه لصنع أجهزة أكسيد معقدة من حيث التكلفة المنخفضة نسبيا وسريعة لالنموذج الأولي بدلا من تقنيات الحبس أخرى. غير أن هناك بعض القيود المهم أن نفهم. ضوئيه وجود قيود المكانية لإنشاء هياكل من حوالي 1 ميكرون هو لذلك لا تصلح لتصنيع جهاز النانو حقا. المهم أيضا هو حقيقة أن حافة خشونة الناشئة عن عملية الحفر الكيميائ.......

المواد

قائمة المواد المستخدمة في هذه المقالة

الاسم	الشركة	رقم فهرسي	التعليقات
<قوي>كاشف / مادة< / قوي>
SrTiO3 (001) & ركائز LaAlO3 (100)	CrysTec GmbH
Microposit S1813 Photoresist	Shipley
CD-26 Developer	Shipley	38490
GE ورنيش	Lakeshore	VGE-7031
<قوي> معدات< قوي>
انعكاس حيود الإلكترون عالي الطاقة (RHEED)	Staib Instruments		35 كيلو فولت TorrRHEED
قناع محاذاة	ABM	موديل 85-3 (350 واط) مقاومة مصدر
عفريت	تصميم الكم	P102
سلك بوندر	كوليك صوفا	04524-0XDA-000-00

الضوء