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단 하나의 GaN 나노 와이어 장치에 대한 문의 인터페이스의 분석

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Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

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단 하나의 GaN 나노 와이어 장치에 대한 문의 인터페이스의 분석

DOI:

10.3791/50738-v

•

11:13 min

•

November 15, 2013

•

Andrew M. Herrero, Paul T. Blanchard, Kris A. Bertness

¹Quantum Electronics and Photonics Division,National Institute of Standards and Technology

Chapters

00:05Title
01:32Wafer Preparation
03:14Photolithography of Contact Pattern
04:55Electron-beam Evaporation of Contact Metals
06:29Contact Metal Lift-off and Annealing
07:38Ni/Au Film Removal
09:04Results: Annealed Ni/Au Films Removed with Carbon Tape
10:45Conclusion

Summary

Automatic Translation

기술은 접촉 / 기판과 하나의 GaN 나노 와이어 장치의 접촉 / NW 인터페이스의 시험 및 특성화를 허용하기 위해, 기판에서의 Ni / AU 접촉 금속 필름을 제거하는 개발되었다.

Tags

GaN Nanowire Contact Interface Void Formation Contact Metal Removal Ni/Au Contacts SiO2 Substrate Contact Adhesion Contact Morphology Residual Contamination

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