Summary

Mg3 N2およびZn3N2薄膜の血漿支援分子ビームエピタキシー成長

Published: May 11, 2019
doi:

Summary

本稿では、窒素源および光学成長モニタリングとしてN2ガスを用いる血漿支援分子ビームエピタキシーによるMgO基板上のMg3N2及びZn3N2のエピタキシャルフィルムの増殖について述べた。

Abstract

本論文では、血漿支援分子ビームエピタキシー(MBE)によりMg3N2およびZn3 N2フィルムを増伸する手順について説明する。フィルムは窒素源としてN2ガスを使用して100指向MgO基板上で成長する。基板およびMBE成長プロセスを準備する方法について説明する。基板および膜表面の向きおよび結晶順序は、成長前および成長中の反射高エネルギー電子回折(RHEED)によって監視される。試料表面の鏡面反射率は、488nmの波長を持つAr-イオンレーザーによる成長時に測定されます。反射率の時間依存性を数学モデルに適合させ、屈折率、光消滅係数、およびフィルムの増殖速度が決定される。金属フラックスは、水晶モニターを用いて流出細胞温度の関数として独立して測定されます。典型的な成長率は、Mg 3 N 2およびZn3N 2フィルムの成長温度150°Cおよび330°Cでそれぞれ0.028 nm/sである。

Introduction

II3-V2材料は、III-VおよびII-VI半導体1に比べて半導体研究コミュニティから比較的注目を集めている半導体クラスです。MgおよびZn窒化物、Mg3N2およびZn3N2は、豊富で非毒性の元素で構成されているため、ほとんどのIII-VおよびII-VIとは異なり、安価でリサイクルしやすいため、消費者向けアプリケーションに魅力的です。化合物半導体。それらはCaF2構造に類似した反ビクスバイト結晶構造を示し、1つは中間占有されたfcc F-sublatticesの1つが半分占有された2、3、4、5である。 それらは両方とも直接バンドギャップ材料6であり、光学用途7、8、9適している。Mg3N2のバンドギャップは可視スペクトル(2.5eV)10にあり、Zn3N2のバンドギャップは近赤外(1.25eV)11にある。これらの材料の物理的特性と電子および光学デバイスアプリケーションの可能性を調べるには、高品質の単結晶フィルムを得ることが重要です。これまでのこれらの材料に関するほとんどの作業は、反応性スパッタリング12、13、14、15、16、反応性スパッタリングによって作られた粉末または多結晶フィルム上で行われてきました。 17.

分子ビームエピタキシー(MBE)は、クリーンな環境と高純度元素源を用いて高品質の材料を得る可能性を有する単結晶化合物半導体フィルム18を成長させるための、十分に開発された汎用性の高い方法である。一方、MBEの急速なシャッター操作は原子層スケールのフィルムへの変更を可能にし、精密な厚さの制御を可能にする。本論文では、高純度ZnとMgを窒素源として高純度ZnおよびMgを用いて、MgO基板上のMg3N2およびZn3N2エピタキシャルフィルムの成長について報告する。

Protocol

1. MgO基板製剤 注:市販の片面エピ研磨(100)指向単結晶MgO角基板(1cm x 1cm)は、X3N2(X=ZnおよびMg)薄膜成長に採用された。 高温アニール クリーンなサファイアウエハサンプルキャリアにMgOを置き、研磨された側を炉の上方に向け、1,000°Cで9時間のアニールを使用します。10分の間に温度を1000°Cに上げます。注:高温アニールは、表面から?…

Representative Results

図5Bのインセット中の黒い物体は、成長した200nm Zn3N2薄膜の写真である。同様に、図5Cにおけるインセット中の黄色の物体は、成長した220nm Mg3N2薄膜である。黄色のフィルムは、フィルム10の後ろに置かれた読みやすいテキストである程度透明である。 <p class="jove_content" fo…

Discussion

基板の選択とフィルムの構造および電子特性を最適化する成長条件の確立には、さまざまな考慮事項が含まれています。MgO基板は、空気中の高温(1000°C)で加熱され、表面からの炭素汚染を除去し、基板表面の結晶性の順序を改善します。アセトン中の超音波洗浄は、MgO基板をきれいにするための良い代替方法です。

Zn3N2フィルムに対する(400)X線回折ピーク</sub…

Disclosures

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

この研究は、カナダの自然科学工学研究評議会によって支援されました。

Materials

(100) MgO University Wafer 214018 one side epi-polished
Acetone Fisher Chemical  170239 99.8%
Argon laser Lexel Laser 00-137-124 488 nm visible wavelength, 350 mW output power
Chopper  Stanford Research system  SR540  Max. Frequency: 3.7 kHz 
Lock-in amplifier  Stanford Research system  37909 DSP SR810, Max. Frequency: 100 kHz 
Magnesium  UMC MG6P5 99.9999%
MBE system VG Semicon V80H0016-2 SHT 1 V80H-10
Methanol  Alfa Aesar L30U027 Semi-grade 99.9%
Nitrogen Praxair 402219501 99.998%
Oxygen  Linde Gas 200-14-00067 > 99.9999%
Plasma source SVT Associates SVTA-RF-4.5PBN PBN, 0.11" Aperture, Specify Length: 12" – 20"
Si photodiode  Newport 2718 818-UV Enhanced, 200 – 1100 nm
Zinc  Alfa Aesar 7440-66-6 99.9999%

References

  1. Suda, T., Kakishita, K. Band-gap energy and electron effective mass of polycrystalline Zn3N2. Journal of Applied Physics. 99 (7), 076101.1-076101.3 (2006).
  2. Hu, J., Bando, Y., Zhan, J., Zhi, C., Golberg, D. Carbon nanotubes as nanoreactors for fabrication of single-crystalline Mg3N2 nanowires. Nano Letters. 6 (6), 1136-1140 (2006).
  3. Fang, C. M., Groot, R. A., Bruls, R. J., Hintzen, H. T., With, G. Ab initio band structure calculations of Mg3N2 and MgSiN2. Journal of Physics: Condensed Matter. 11 (25), 4833-4842 (1999).
  4. Yoo, S. H., Walsh, A., Scanlonc, D. O., Soon, A. Electronic structure and band alignment of zinc nitride, Zn3N2. RSC Advances. 4 (7), 3306-3311 (2014).
  5. Partin, D. E., Williams, D. J., O’Keeffe, M. The crystal structures of Mg3N2 and Zn3N2. Journal of Solid-State Chemistry. 132 (1), 56-59 (1997).
  6. Ullah, M., Murtaza, G., Ramay, S. M., Mahmood, A. Structural, electronic, optical and thermoelectric properties of Mg3X2 (X = N, P, As, Sb, Bi) compounds. Materials Research Bulletin. 91, 22-30 (2017).
  7. Li, C. T. Electrocatalytic zinc composites as the efficient counter electrodes of dye-sensitized solar cells: study on the electrochemical performance and density functional theory Calculations. ACS Applied Materials & Interfaces. 7 (51), 28254-28263 (2015).
  8. Sinha, S., Choudhury, D., Rajaraman, G., Sarkar, S. Atomic layer deposition of Zn3N2 thin films: growth mechanism and application in thin film transistor. RSC Advances. 5 (29), 22712-22717 (2015).
  9. Bhattacharyya, S. R., Ayouchi, R., Pinnisch, M., Schwarz, R. Transfer characteristic of zinc nitride based thin film transistors. Physica Status Solidi C. 9 (3-4), 469-472 (2012).
  10. Wu, P., Tiedje, T. Molecular beam epitaxy growth and optical properties of Mg3N2 films. Applied Physics Letters. 113 (8), 082101.1-082101.4 (2018).
  11. Wu, P., et al. Molecular beam epitaxy growth and optical properties of single crystal Zn3N2 films. Semiconductor Science and Technology. 31 (10), 10LT01.1-10LT01.4 (2016).
  12. Jiang, N., Georgiev, D. G., Jayatissa, A. H. The effects of the pressure and the oxygen content of the sputtering gas on the structure and the properties of zinc oxy-nitride thin films deposited by reactive sputtering of zinc. Semiconductor Science and Technology. 28 (2), 025009 (2013).
  13. Nakano, Y., Morikawa, T., Ohwaki, T., Taga, Y. Electrical characterization of p-type N-doped ZnO films prepared by thermal oxidation of sputtered Zn3N2 films. Applied Physics Letters. 88 (17), 172103.1-172103.3 (2006).
  14. Cao, X., Yamaguchi, Y., Ninomiya, Y., Yamada, N. Comparative study of electron transport mechanisms in epitaxial and polycrystalline zinc nitride films. Journal of Applied Physics. 119 (2), 025104.1-025104.10 (2016).
  15. Jia, J., Kamijo, H., Nakamura, S., Shigesato, Y. How the sputtering process influence structural, optical, and electrical properties of Zn3N2 films. MRS Communications. 8 (2), 314-321 (2018).
  16. Trapalis, A., Hefferman, J., Farrer, I., Sherman, J., Kean, A. Structural, electrical and optical characterization of as-grown and oxidized zinc nitride films. Journal of Applied Physics. 120 (20), 205102.1-205102.9 (2016).
  17. Núñez, C. G., et al. On the zinc nitride properties and the unintentional incorporation of oxygen. Thin Solid Films. 520 (6), 1924-1929 (2012).
  18. Oshima, T., Fujita, S. (111)-oriented Zn3N2 growth on a-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 45 (111), 8653-8655 (2006).
  19. Heavens, O. S. . Optical properties of thin solid films. , 46-48 (1955).
  20. Heyns, A. H., Prinsloo, L. C., Range, K. J., Stassen, M. The vibrational spectra and decomposition of α-calcium nitride (α-Ca3N2) and magnesium nitride (Mg3N2). Journal of Solid-State Chemistry. 137, 33-41 (1998).
  21. Lewis, R. B., Bahrami-Yekta, V., Patel, M. J., Tiedje, T., Masnadi-Shirazi, M. Closed-cycle cooling of cryopanels in molecular beam epitaxy. Journal of Vacuum Science Technology B. 32 (2), 02C102.1-02C102.7 (2014).

Play Video

Cite This Article
Wu, P., Tiedje, T. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films. J. Vis. Exp. (147), e59415, doi:10.3791/59415 (2019).

View Video