Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu. Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Chapitres
- 00:05Titre
- 01:57Microscope Setup, Preparation, and Mounting of the High Electron Mobility Transistor Circuit
- 06:37Capacitance Mode Measurements
- 08:05Results: Scanning Charge Accumulation and Capacitance-voltage Spectroscopy of Doped Semiconductors
- 10:17Conclusion
Scanning-probe single-electron capaciteit spectroscopie vergemakkelijkt de studie van single-elektron beweging in gelokaliseerde ondergrond regio. Een gevoelige charge-detectieschakeling wordt opgenomen in een cryogene scanning probe microscoop kleine systemen doteringsatomen onderzoeken onder de oppervlakte van halfgeleider monsters.
