Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu. Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Chapitres
- 00:05Titre
- 01:57Microscope Setup, Preparation, and Mounting of the High Electron Mobility Transistor Circuit
- 06:37Capacitance Mode Measurements
- 08:05Results: Scanning Charge Accumulation and Capacitance-voltage Spectroscopy of Doped Semiconductors
- 10:17Conclusion
Сканирующего зонда одноэлектронными емкостной спектроскопии облегчает изучение одного движения электронов в локализованных подземных регионах. Чувствительный заряда схема обнаружения включена в криогенных сканирующий зондовый микроскоп для исследования небольших системах атомов легирующей примеси под поверхностью полупроводникового образцов.
