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자외선 발광 다이오드용 나노 패턴 사파이어 기판에 대한 알N 필름의 그래핀 지원 준 반 데르 발스 에피택시
Journal JoVE
Ingénierie
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Journal JoVE Ingénierie
Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes
DOI:

07:00 min

June 25, 2020

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Chapitres

  • 00:04Introduction
  • 00:40Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD) Growth of Graphene on Nano-Patterned SapphireSubstrate (NPSS) and Nitrogen (N2)-Plasma Treatment
  • 02:03Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Growth of Aluminum Nitrogen (AlN) on Graphene-NPSS and of Aluminum-Gallium-Nitrogen (AlGaN) Multiple Quantum Wells (MQW)
  • 03:08AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode (DUV-LED) Fabrication
  • 06:02Results: Representative AIN Characterization
  • 06:32Conclusion

Summary

Traduction automatique

나노 패턴 사파이어 기판에 고품질 AlN 필름의 그래 핀 지원 성장을위한 프로토콜이 제시된다.

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