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銅上のアトムプローブトモグラフィ研究（、ジョージア州）SE<sub> 2</sub>粒界

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Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se₂ Grain Boundaries

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銅上のアトムプローブトモグラフィ研究（、ジョージア州）SE<sub> 2</sub>粒界

DOI:

10.3791/50376-v

•

09:51 min

•

April 22, 2013

•

Oana Cojocaru-Mirédin, Torsten Schwarz, Pyuck-Pa Choi, Michael Herbig, Roland Wuerz, Dierk Raabe

¹Department of Microstructure Physics and Alloy Design,Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, ²Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg ( ZSW )

Chapters

00:05Title
02:29Sample Fabrication for Atom Probe Tomography Analysis
05:43Atom Probe Tomography Analysis in a CAMECA LEAP 3000X HR System
06:31Reconstruction of Atom Probe Tomography Data
07:13Results: Elemental Maps and Concentration Depth Profiles of a Grain Boundary
08:38Conclusion

Summary

Automatic Translation

本研究では、CIGS太陽電池の光吸収層の粒界を研究するための原子プローブ断層撮影技術の使用を記載している。公知の構造の所望の粒界を含むアトムプローブ·チップを製造するための新しいアプローチは、ここで提示される。

Tags

Atom Probe Tomography Cu(In Ga)Se2 Grain Boundaries Nanoscale Characterization Site-specific Sample Preparation Focused-ion-beam Electron Backscatter Diffraction Transmission Electron Microscopy Thin-film Solar Cells

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