一个设计和一个新的基于纳米柱,开口环谐振器(SRR)的制造协议提出。
太赫兹裂环谐振器(SRR)超材料(MMS)已经研究了气体,化学和生物分子传感应用,因为SRR不受环境特性,如温度和压力围绕所述谐振器。在太赫兹频率的电磁辐射是生物相容的,这是一个重要的条件特别是对生物分子传感应用。然而,品质因子(Q因子)和传统薄膜基于开口环谐振器的频率响应(SRR)的MM是非常低的,这限制了它们的敏感性和选择性的传感器。在这项工作中,新的基于纳米柱-SRR彩信,利用位移电流,旨在提高Q因子高达450,它是围绕比传统的基于薄膜的MM的高出45倍。除了增强的Q因子,所述基于纳米柱-MMS诱导更大的频率偏移(相比于通过传统获得的移位17次人薄膜基于MMS)。因为显著增强Q因数和频率偏移以及生物相容的辐射的特性,该太赫兹基于纳米柱-SRR是具有高灵敏度和选择性的生物分子的传感器的发展理想的MM而不引起损坏或变形的生物材料。一种新的制造工艺已被证明是建立位移电流导太赫兹彩信基于纳米柱-的SRR。两步金(Au)的电镀处理和原子层沉积(ALD)工艺用于创建的Au纳米支柱之间的子10纳米尺度的间隙。由于ALD工艺是一个共形涂覆工艺,均匀的氧化铝( 的 Al 2 O 3)的纳米级厚度层可以实现。通过顺序电镀另一个Au薄膜以填充的 Al 2 O 3和Au,密堆积的Au- 的 Al 2 O 3 -Au结构具有纳米级之间的空间中的 Al 2 O 3的差距可以是制造。纳米间隙的尺寸可以通过精确控制ALD工艺,其具有0.1纳米的准确度的沉积循环来明确界定。
太赫兹超材料(MMS)已经开发了用于生物医学传感器和频率捷装置1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11。为了提高太赫兹的MM传感器的灵敏度和频率选择性,基于纳米柱分割环谐振器(SRR)已经使用金(Au)的内部产生位移电流纳米柱阵列以激发具有超高品质因子的THz共振(设计Q因数)(〜450)( 图1)12。尽管基于纳米柱-的SRR表现出高Q值和有前途的传感能力,例如nanostructur制造具有高纵横比(大于40)和纳米尺度的间隙(子10毫微米)在大面积上ES仍然具有挑战性13。
最常用的技术来制造纳米级结构是电子束光刻(EBL)14,15,16,17。然而,EBL的分辨率仍然有限,由于光斑尺寸,电子散射,抗蚀性能,以及开发过程18,19。此外,它是不实际的制造使用EBL在大面积上的纳米结构,由于一个缓慢的过程的时间和大量处理费用20。以实现纳米结构的另一种策略是使用自组装技术21,22。通过在溶液中和util的自组装金属纳米立方体(NCS)定义静电作用和NC之间的聚合物配体的协会,组织良好的一维数组NC具有纳米级的差距可以达到23。纳米间隙的大小取决于纳米晶之间的聚合物配位体,并且可以通过具有不同分子量的24,25,26施加不同的聚合物材料来控制。自组装是实现可扩展性和成本效益的纳米结构23的强大技术。然而,相对于传统的微和纳米制造工艺的制造工艺比较复杂,和纳米间隙尺寸的控制不是用于电子设备的应用程序足够精确。为了成功地制造基于纳米柱-的SRR,一种新的制造方法应该被发明,实现以下目标:i)本制造工艺很容易申请,并与约定兼容人微纳米制造工艺; ⅱ)制造在大面积上是适用的; ⅲ)纳米间隙尺寸可以用0.1纳米的分辨率可容易且精确地控制,并且可以按比例缩小至10nm或更小。
一种新的制造方法是使用电镀工艺的组合和原子层沉积(ALD)工艺来制造基于纳米柱-的SRR证明。因为电镀是低成本的自填充过程中,它很容易制造的结构在大面积上。 ALD是一种可以通过在反应循环的过程中精确地控制的化学气相沉积(CVD)工艺。 ALD薄膜的分辨率可以是0.1纳米,该薄膜被均匀地涂覆有高的质量,这是合适的,以创建纳米尺度的间隙27,28。与10纳米间隙或更少,基于纳米柱-SRR阵列可以成功地制作在6毫米×6毫米的区域。既有Simulated和测量的太赫兹透射光谱显示出具有超高Q值和大频移,这证明通过位移电流介导的基于纳米柱,SRR的可行性共振行为。详细的制造方法是在协议部分如下所述,与视频协议可帮助从业者了解的制造过程,并避免与基于纳米柱-SRR的制造相关联的常见错误。
这种制造技术具有用于通过现有的方法,如电子束光刻和自组装产生纳米尺度结构显著优点。首先,纳米尺度的结构可以通过使用光掩模,具有纳米柱的阵列,这是不实际的用电子束光刻工艺的大面积(整个晶片)来实现。第二,在制造过程中使用传统的晶片规模微加工过程,这是更快,更简单,更便宜相比电子束光刻。第三,在原子尺度的纳米间隙可以容易地通过ALD工艺具有精确控制的特征尺?…
The authors have nothing to disclose.
这种材料是基于由明尼苏达双城大学的创业基金支持的工作。这项工作的部分以表征基金,明尼苏达州,通过MRSEC程序的NSF资助的材料研究设施网络(www.mrfn.org)的成员大学进行。这项工作的一部分也在其中通过NNCI程序从美国国家科学基金会获得部分支持明尼苏达纳米中心进行。
Silicon Wafer | Siltronic AG | N/A | 100mm diameter, N-type, one-side polish, resitivity: 560-840 Ω•cm |
Chromium | Kurt J. Lesker Company | EVMCR35J | 99.95% pure |
Copper | Kurt J. Lesker Company | EVMCU40QXQJ | 99.99% pure |
E-Beam Evaporator System | Rocky Mountain Vacuum Tech. | N/A | RME-2000 |
S1813 Positive Photoresist | Microposit | 10018348 | N/A |
Spinner | Best Tools | S0114031123 | SMART COATER 100 |
Mask Aligner | Midas | MDA-400LJ | N/A |
Digital Hot Plate | Thermo Scientific | HP131725 | Super-Nuvoa series, maximum temperature: 370 degree C |
MF319 Developer | Microposit | 10018042 | N/A |
Acetone | Fisher Chemical | A18P-4 | N/A |
Isopropyl Alcohol | Fisher Chemical | A416-4 | N/A |
Gold 25 ES RTU | Technic Inc. | 391427 | N/A |
Source Meter | Keithley | N/A | 2612 System SourceMeter |
Microscope | Omax | NJF-120A | N/A |
Profilometer | Tencor Instruments | N/A | Alpha-Step 200 |
APS Copper Etchant 100 | Transfene Company, Inc. | N/A | N/A |
CE-5 M Chromium Mask Etchant | Transfene Company, Inc. | N/A | N/A |
Atomic Layer Deposition System | Cambridge Nano Tech inc. | N/A | Savannah series |
Ion Mill Etching System | Intlvac Thin Film | N/A | Nanoquest series |
Ultrasonic Cleaner | Crest Ultrasonics | N/A | Powersonic series |
Hydrofluoric Acid | Sigma-Aldrich | 244279 | Diluted to 5% |
Field Emission Gun Scanning Electron Microscope | Jeol Ltd. | N/A | JEOL 6700 series |