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Caracterización integral de defectos extendidos en materiales semiconductores por un microscopio electrónico de barrido
 
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Caracterización integral de defectos extendidos en materiales semiconductores por un microscopio electrónico de barrido

Article DOI: 10.3791/53872-v • 11:14 min • May 28th, 2016
May 28th, 2016 •
1, 1, 1, 1, 2, 2, 1
1Institute of Applied Physics, Semiconductor Physics, Technische Universität Dresden, 2Institut für Strukturphysik, Technische Universität Dresden

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Ingeniería No. 111 microscopio electrónico de barrido (SEM) silicio cátodoluminiscencia (CL) haces de electrones corriente inducida (CEEI) la correlación cruzada de retrodispersión de difracción de electrones (ccEBSD) dislocaciones límites de grano la línea D de luminiscencia
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