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Fabrication de Diodes Schottky sur Zn-polar BeMgZnO/ZnO hétérostructure passé épitaxie de faisceau moléculaire assistée par Plasma
 
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Fabrication de Diodes Schottky sur Zn-polar BeMgZnO/ZnO hétérostructure passé épitaxie de faisceau moléculaire assistée par Plasma

Article DOI: 10.3791/58113-v 14:16 min October 23rd, 2018
October 23rd, 2018

챕터

요약

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Réalisation des contacts de Schottky de haute qualité est impérative pour la réalisation de modulation porte efficace à hétérostructure transistors à effet de champ (HFETs). Nous présentons la méthodologie de fabrication et les caractéristiques des diodes Schottky sur Zn-polar BeMgZnO/ZnO hétérostructures avec gaz haute densité d’électrons dimensionnelle deux (2DEG), cultivés par épitaxie moléculaire assistée par plasma sur les modèles de GaN.

Tags

Épitaxie de génie numéro 140 faisceau moléculaire (MBE) ZnO BeMgZnO ensembles de gaz d’électrons bidimensionnel (2DEG) champ de l’hétérostructure effect transistors (HFETs) Ag diodes Schottky
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