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Journal
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화학
/
利用
uo2
沉积
制备 u2o5 薄膜, 利用原子氧和原子氢连续氧化还原
JoVE 신문
화학
This content is Free Access.
JoVE 신문
화학
U
2
O
5
Film Preparation via UO
2
Deposition by Direct Current Sputtering and Successive Oxidation and Reduction with Atomic Oxygen and Atomic Hydrogen
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Click here for the English version.
利用
uo2
沉积
制备 u2o5 薄膜, 利用原子氧和原子氢连续氧化还原
DOI:
10.3791/59017-v
•
12:05 min
•
February 21, 2019
•
Thomas Gouder
,
Frank Huber
,
Rachel Eloirdi
,
Roberto Caciuffo
1
European Commission, Joint Research Centre
,
Directorate for Nuclear Safety and Security
Chapters
00:04
Title
01:06
The Labstation Modular Machine
02:11
Introduction of the Sample and Sample Holder into the Labstation
03:10
Transfer the Sample Holder to the Preparation Chamber
04:03
In situ Cleaning of the Sample Holder and Sample Holder Characterization
05:39
Deposition of a UO
2
Thin Film
06:50
UO
2
Sample Characterization
07:38
Oxidation of UO
2
with Atomic Oxygen and Analysis of the UO
3
Obtained
08:52
Reduction of UO
3
by Atomic Hydrogen and Analysis of the U
2
O
5
Obtained
09:45
Results: Identification of Uranium(V) in Thin Films
10:51
Conclusion
Summary
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Türkçe (Turkish)
자동 번역
该协议介绍了在超高
真空下
原位
获得的 u2o5 薄膜的制备方法.
该过程涉及用原子氧和氢原子
氧化和还原 uo2 薄膜。
Tags
Keywords: U2O5
UO2
Thin Film
Sputtering
Oxidation
Reduction
Atomic Oxygen
Atomic Hydrogen
Uranium Oxides
Surface Composition
X-ray Photoelectron Spectroscopy
Nitrides
Carbides
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Sample Preparation
Gold Substrate
Loading Chamber
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