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Capítulos
- 00:05Título
- 01:57Microscope Setup, Preparation, and Mounting of the High Electron Mobility Transistor Circuit
- 06:37Capacitance Mode Measurements
- 08:05Results: Scanning Charge Accumulation and Capacitance-voltage Spectroscopy of Doped Semiconductors
- 10:17Conclusion
Spectroscopie de capacitance à électron unique sonde à balayage facilite l'étude du mouvement à un seul électron dans les régions souterraines localisées. Un circuit de charge-détection sensible est incorporé dans un microscope à sonde à balayage pour étudier cryogénique petits systèmes d'atomes de dopant sous la surface d'échantillons de semi-conducteurs.
