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Capítulos
- 00:00Introduction
- 02:48Preparation of the Electrolytic Solution
- 03:55Substrate Cleaning
- 05:24Al Gate Electrode Evaporation
- 06:31Anodization of the Al Layer
- 07:41ZnO Active Layer Deposition
- 08:38Drain and Source Electrodes Deposition
- 09:36TFT Electrical Characterization
- 10:09Resultados
- 11:22Conclusion
Los parámetros de anodización para el crecimiento de la capa dieléctrica de óxido de aluminio de transistores de película delgada de zinc-óxido (TFT) son variados para determinar los efectos en las respuestas de los parámetros eléctricos. El análisis de varianza (ANOVA) se aplica a un diseño de experimentos (DOE) de Plackett-Burman para determinar las condiciones de fabricación que dan como resultado un rendimiento optimizado del dispositivo.
