Summary
この研究放射光マイクロトモグラフィー、非破壊3次元撮像技術のために、16×16mmの断面積全体マイクロエレクトロニクスパッケージを調べるために使用されます。シンクロトロンの高フラックスと明るさに起因してサンプルが8.7μmの空間分解能でわずか3分で画像化しました。
Abstract
放射光マイクロトモグラフィー（SRμT）は、高空間分解能で高速のデータ取得時間のために高いフラックスを提供する非破壊三次元（3D）イメージング技術です。エレクトロニクス産業では、高密度相互接続の複数のレベルを含む多くの3D超小型電子パッケージの不良解析を行う際に重大な関心があります。多くの場合、断層画像の解像度と画像化することができる試料の容量の間のトレードオフがあります。マイクロエレクトロニクスパッケージは、断面積100-3,600ミリメートル2にしばしば大きいが、ミクロンスケールの重要な機能を備えていますので、この逆の関係は、従来のコンピュータ断層撮影（CT）システムの有用性を制限します。高度な光源（ALS）でマイクロ断層撮影ビームラインは、カリフォルニア州バークレー米国で、適応可能である等 、サンプルの特性、 すなわち、密度、厚さ、に合わせることができるセットアップを持っている、最大でallow36のx 36ミリメートルのできる断面。また、この設定では、〜7-43 keVのエネルギー範囲における単色のいずれかである、または多色ビームを用いた白色光モードで最大フラックスで動作するオプションを有します。ここで提示未満、3分のスキャン時間内に8.7マイクロメートルのすべての空間分解能を有するシステムの3次元画像を得るために、画像にパッケージ内全体の16×16ミリメートルのシステムをとった実験手順の詳細です。また、異なる向きでスキャンされたパッケージからの結果と高解像度イメージングのために切片パッケージが示されています。対照的に、従来のCTシステムは、潜在的に劣った解像度のデータを記録するために時間がかかります。シンクロトロン放射断層撮影の設定を使用した場合、実際に、視野スループット時間の比率が非常に高いです。実験の以下の説明は、実装および他の多くの多の材料との使用に適合させることができます。
Introduction
サンプルを特徴付ける際にマイクロエレクトロニクスの分野では、多くの他の分野と同様に、マイクロメートルスケールでの非破壊評価が必要です。具体的には、マイクロエレクトロニクス産業のために、3Dマイクロエレクトロニクスパッケージをプロービングマルチレベルとマルチ物質を含む、および、熱、電気、および機械部品のストレス時のパッケージの障害を同定することに関心があります。世界の放射光施設の周囲にマイクロエレクトロニクスパッケージの不良解析のために使用される断層回折ビームラインを指定しています。このいくつかの例は、過冷却とのその場観察中のスズと金属間化合物（IMCの）6,7の異方性熱膨張、 その場観察で 、錫ウィスカ成長4,5ためのメカニズムを評価する、エレクトロ1-3によって生じるボイド形成を撮像しています凝固およびIMC形成8-10、異方性の機械的挙動と錫の再結晶化と鉛フリーはんだ10、フリップチップバンプ中のボイド、及びAg-ナノインク焼結11のその場観察インチこれらの研究のすべては、さらに、マイクロエレクトロニクス業界の理解とコンポーネントの開発を進めてきました。しかしながら、これらの研究の多くは、パッケージ内の小さな領域に集中しています。詳細については、その開発を促進するために、高解像度のSRμTを使用して、フルサイズのパッケージをテストし、特徴づけるから収集することができました。
電子パッケージは現在、製造相互接続の複数の層を含むされます。これらのパッケージおよびデバイスは、故障解析、品質管理、信頼性のリスク評価、及び開発に関する非破壊評価のための3Dソリューションを求めているますます複雑に成長しています。特定の欠陥が少ない銅のsuの内部に空隙を形成し、クラックを含むサイズが5μm、より特徴を検出することができる技術を必要としますbstrateビア、ボールグリッドアレイ（BGAの）及びC4はんだ接合内の空隙を配置し、定量、マルチレベルパッケージ12に非接触オープンとnonwetはんだパッドを識別する。基板組み立てプロセス中の欠陥のこれらの種類が識別され、不要な障害を回避するために広範囲に監視しなければなりません。
また、天板として知られている実験室ベースの源を使用して現在のCTシステムは、〜1μmの空間分解能と高い提供することが可能であり、有望な結果を有するマルチレベルパッケージにおける障害を分離するために使用されています。 SRμTセットアップ13,14と比較した場合しかし、卓上型CTシステムにはいくつかの制限を有します。それらは通常、1つまたは2つのX線源のスペクトルを含むため、卓上型システムは、材料のみの特定の濃度範囲を画像化に限定されています。また、スループット時間（TPT）関心1-2 mm 2の領域と、CAあたりのデータ取得時間の数時間を必要とする従来の卓上型CTシステムのための長いままnは、その有用性を制限します。例えば、シリコンビア（TSV）を介しての失敗を分析し、BGAのかC4関節がしばしばある、8〜12時間の合計TPTで、その結果、サンプル内の高解像度でビュー（FOV）または関心領域の複数のフィールドを取得する必要が複数のサンプルを分析する必要があり、従来の卓上型CTシステムのためのショーストッパー。放射光は、関心のある領域のための非常に高速なデータ取得時間になり、従来のX線源よりもはるかに高い流束及び輝度を提供します。 SRμTを撮像することができる材料の種類に対する試料量でより多くの柔軟性を可能にしないが、それが使用され、シンクロトロン源とセットアップに固有のものな制限、特に最大許容厚さとサンプルサイズを持っています。 ALSにおけるSRμT設定に撮像することができる最大の断面積は、<36、X 36 mmであり、厚さは、利用可能なエネルギー範囲とフラックスによって制限され、材料のありますpecific。
この研究はSRμT3次元半導体パッケージの検査に使用するためにパッケージ全体のマルチレベルのシステムの高分解能および低TPTと（SIP）（3-20分）画像を利用することができる方法を示すために使用されます。シンクロトロンソースCTのに卓上CTのを比較に関する詳細は、参考文献13,14に記載されています。
実験の概要とビームラインは、説明8.3.2：
世界中のトモグラフィー実験のための利用可能なシンクロトロン施設があります。これらの施設のほとんどは、実験者は実験だけでなく、その科学的な影響を説明し、提案の提出を必要とします。ここで説明する実験は、すべてのビームライン8.3.2でローレンス・バークレー国立研究所（LBNL）でALSで行いました。 1）エネルギー範囲における単色〜7-43 keVのか、2）多色「白色」光全体ご利用できます：このビームラインのために2つのエネルギーモードのオプションがあります高密度材料をスキャンするときBLEエネルギースペクトルが使用されます。試料は、X線が試料を貫通する回転ステージ上に搭載されている典型的な走査中にビームライン8.3.2で、次いで、減弱したX線は、シンチレータを介して可視光に変換するレンズで拡大し、その後に投影します記録用のCCD。サンプルはマイクロメートルの分解能で試料の3Dビューを得るために、再構成された画像のスタックを生成0〜180から回転する間に行われます。得られた断層撮影データセットのサイズは、スキャンパラメータに依存〜3-20ギガビットの範囲である。1は、試料を走査するハッチの概略図を示します 。
ここに示さ以下のプロトコルは、全体のマイクロエレクトロニクスパッケージを撮像するために必要な実験のセットアップ、データ収集、及び処理手順について説明するが、手順は画像サンプルの種々改変することができます。修飾は、サンプルサイズに依存し、密度、幾何学的形状、および関心のある特徴。 表1、表 2には、本ビームライン8.3.2（ALS、LBNL、カリフォルニア州バークレー）で入手可能な解像度とサンプルサイズの組み合わせ。ここで調べたマイクロエレクトロニクスパッケージのためのサンプルは、厚さと、サンプルの成分の高濃度のために選択された多色（「白」）ビームを用いて画像化しました。サンプルは、マウントチャック上に水平方向に、したがって一つだけを必要とする〜4ミリメートルと〜40mmの幅の高さと平行なビームの高さに収まるように試料全体に許可され、この方向を、マウントされました試料全体をキャプチャするためにスキャンします。
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Protocol
注：以下で説明するプロトコルの詳細は、ALS、バークレー、カリフォルニア州でのビームライン8.3.2での仕事のために特別に書かれていました適応は、世界中で見つけることができる他のシンクロトロン施設、で仕事のために必要となる場合があります。適切な安全及び放射線訓練は、これらの施設で実験を実行するために必要とされ、訓練のためのガイドラインは、個々の放射光施設のウェブサイト上で見つけることができます。断層撮影プロトコル（ALS、LBNL、カリフォルニア州バークレー）への変更または更新は、ビームラインマニュアル15に記載されています。断層撮影法の詳細は文献16に記載されています。ビームラインの科学者は、任意の質問に答えるために利用可能であり、実験のセットアップを容易にするであろう。
ビームライン8.3.2で断層撮影スキャンを実行するための手順1.（ALS、LBNL）
- ビームラインの回転ステージに収まるように設計された試料ホルダーにそれを装着することにより、スキャン用のサンプルを準備します。カストを持っていないサンプルについてオムマウント、粘土やワックスをポストまたはドリルチャックにサンプルを付着します。
注：この研究でスキャンしたサンプルは、16×16ミリメートル、高さだけ〜3mmであるマイクロエレクトロニクスパッケージました。視野全体のパッケージに適合するために、試料をビームラインに設けられた粘土を使用して水平に取り付けました。- それが180度回転したとき、それが視野内に留まることを確実にするために、サンプルの位置を合わせます。ハッチ内側の回転ステージにサンプルをロードする前にサンプルを整列させるために使用されるオフラインモック回転ステージがあります。回転の中心の目視検査は、位置合わせのため通常は十分です。
- ハッチ内の試料ホルダーに取り付けられたサンプルをマウントします。サンプルはハッチ内に装着された後、二つの直交センタリングモータは、回転の中心に対して、試料の位置決めを可能にします。
注：時々、サンプル調製は、必ずサンプルを作るために前方に実験時間の必要とされていますサイズは、所望の解像度のための正しいです。例えば、16×16ミリメートルの超小型電子パッケージの一部は、さらに、高解像度走査のための小片に切断しました。サンプルサイズは、 表1および表 2を用いて決定することができます。
- 関心のサンプルサイズと機能のサイズに基づいて、スキャンの倍率を選択します。 9ミクロン - ビームライン8.3.2は、0.35からの画素サイズの範囲で画像を生成するから選択するいくつかのレンズを持っています。視野は倍率の増加と共に減少する倍率に応じて、サンプルは、適切な断面積のものでなければなりません。
- 表1及び表 2に示したように、ここでスキャンしたサンプルは、最長方向22.6 mmであるので、PCO.4,000で1Xレンズを選択し、この組合せは、ビューの最大のサンプルフィールドを与えます。その結果、画素サイズは8.7μmです。
- polychにX線エネルギーまたはスイッチを設定します。ビームラインコントロールコンピュータを使用してromaticビーム。ビームライン8.3.2でのX線エネルギー範囲は4-80 keVのから連続しているが、多層モノクロメーターが搭載され、ピークフラックスは〜12 keVの時に発生しながら、エネルギー範囲に〜7-43 keVのを制限します。最高品質の画像を取得するには、データ収集コンピュータ上で測定することができます〜30％の透過率を、ターゲットとのエネルギー選択の基礎としています。エネルギーを増加させると一般、％透過率が増大します。
- マイクロエレクトロニクスパッケージの場合、パッケージの厚さと材質による光 "白を選択して"。
注意：ビームライン8.3.2マニュアルでは、「白色」光とモノクロモードとの間で変更するための詳細な手順があります。 - 「白色」光モードを使用する場合、より低いエネルギーのX線をフィルタリングするために、X線ビームに沿って、2-4金属アルミニウムと銅のフィルタを追加します。このサンプルでは、〜1.2ミリメートルの厚さの合計で2銅シートを使用。
- 先にティムのサンプルを通じて伝送を計算します使用して、電子：
http://henke.lbl.gov/optical_constants/filter2.htmlまたはhttp://www.nist.gov/pml/data/xraycoef/またはhttp://11bm.xray.aps.anl.gov/absorb/absorb .phpの。例えば、化学式およびサンプルが出力さの推定厚エネルギー範囲の関数としてのパーセント透過率を示すグラフを入力します。
- マイクロエレクトロニクスパッケージの場合、パッケージの厚さと材質による光 "白を選択して"。
- 回転ステージの中心がカメラの中心と一致していることを確認します。サンプルはビームラインコントロールコンピュータ上のソフトウェアを使用して180度回転して位置合わせされていることを確認し、視覚的にコンピュータ上でX線写真を表示することにより、試料位置の変化を観察します。コントロールが同じコンピュータ上に並ぶように変更されます。サンプルの領域はサンプル回転中の視野を残すように、サンプルの位置合わせが十分にオフのときに画質が劣化します。
- 手動スキャンの検出器の距離にサンプルを設定します。カメラが使用されて水平方向に移動することができます並進ステージ上にあります検出器の距離にサンプルを変更します。距離が増加する位相差の寄与も大きくなります。位相効果がより簡単に画像の微妙な亀裂やエッジに有用であるだけでなく、多くの場合、望ましくない他の「ハロー効果」アーティファクトを引き起こします。
- ビームラインのアライメントを確認してください。画像のピントを確認し、必要に応じてフォーカスモータを調整します。ピクセルサイズ・キャリブレーションは、サンプルに定義された量を移動し、サンプルはミクロン/ピクセルを計算するために移動ピクセル数を測定することにより、正しいことを確認します。ボクセルサイズは、実験に応じて変化します。
- 画像が水平方向に移動すると、画像が水平方向に一定のピクセルに沿ってトラックを備えていることを確認し、ない場合は彼らが行うように、カメラのチルトモータを調整します。それは再構成アルゴリズムによって後で想定アラインメントである画素列に平行になるように、これは、回転軸を整列させます。
- 各X線写真の露光時間を選択します。露光時間の範囲は1-1,500ミリ秒であり、選択は（解像度要素ごとに観測されたフラックスを決定する）スキャンエネルギーと解像度に依存します。選択された時間は最速スキャン時間とより多くの数、したがって、最良の信号対雑音比を有するスキャンの間のトレードオフを提供する必要があります。
- マイクロエレクトロニクスパッケージの場合、露出あたり100ミリ秒のサンプルスキャン時間を使用しています。
注：制御システムは、各カメラの最大数は65,535であるように変換された規模で、カメラの数を表示するように設定されている100の推奨目標よりも少なくとも小さい全く飽和画素またはがないことを確認してください。
- マイクロエレクトロニクスパッケージの場合、露出あたり100ミリ秒のサンプルスキャン時間を使用しています。
- データ収集コンピュータを使用してスキャンパラメータを設定します。
- その範囲にわたって収集するために入力された所望の角度範囲、および画像の数。より多くの角度は、データセットのサイズがスキャン時間より長く、より大きなを選択しました。角度の共通番号は0から180度の範囲にわたって、513、1025、および2049です。この研究のために、使用1025角度データ収集中に180度以上。
- スキャンモードを選択します。走査モードの2つのオプションは、通常1）及び2）の連続断層撮影法です。それは2〜3分、最短スキャン時間になるので、連続モードが好ましいです。画像が収集されるように、このモードでは、回転ステージは、連続的に移動します。通常モードでは、回転ステージは、各角度で停止した後、画像を収集します。
- 明暗視野画像の数を指定します。明暗視野画像は、再構成を実行するために必要です。暗視野像近く、明視野用シャッターや背景画像のためのサンプルは、視野の外に移動します。それが再構成画像に大きな欠陥を回避するために、明視野像に存在しないように、サンプルが十分に翻訳されていることを確認します。ここでは、15暗視野像15明視野画像を取得します。
- タイリングが必要であるかどうかを確認します。サンプルは、フィールドOより背が高い場合Fビューサンプル全体が捕捉されるまで、垂直にそれを翻訳し、サンプルをスキャンしますタイリングオプションが、そこにあります。
- データ収集コンピュータ上で実行スキャンを実行します。スキャンは、入力された設定に基づいて自動的に実行されます。
断層データ処理を実行するための2ステップ
- ビームラインで利用可能な解析コンピュータへの転送データがビームラインのプロトコルを使用して、データセットの再構成およびフィルタリングを実行します。復興は、データ収集とは無関係に実行することができます。
注：データは自動的にNERSC、それが処理され、再構築された高性能のコンピュータに転送されます。ユーザーはspot.nersc.govでSPOT SuiteのWebポータルを介して自分のデータにアクセスするNERSCでアカウントにサインアップすることができます。このポータルは、開発モードのままなので、多くのユーザーは、彼らが残りの手順を実行する場合に再構成パラメータ、より詳細に制御を持っていることを好みます。 - Reconst次の手順を実行して、生の画像をruct：1）、2）サイノグラムのスタックを作成して画像を正規化、3）リング除去/フィルタを適用し、4）平行ビーム再構成を行います。再構成は、フィルタ補正逆投影アルゴリズムに基づいています。試料容量を構成する各画素の位置と強度の情報を含むTIFF画像内の再構成処理をもたらします。プロセス全体の概略図を図2に示されています。
- プラグインにアクセスするには、（ちょうどImageJのフィジーの頭字語である）でフィジーを起動し、以下に示すように、メニュープラグイン→ALSmicroCT→NormalizeStack832newnamingを選択します。 ALS施設の利用者は、再構成プロセスを合理化するために設計されたいくつかのソフトウェアパッケージを統合するImageJの/フィジー、用のカスタムプラグインを使用して全体の再構成処理を行うことができます。
注：フィジーとプラグインは、複数のビームライン8.3.2分析コンピュータ上で使用できます。 - フィジーダイアログボックスが開いたら、以下に示すように、再構築のために意図されたRAWファイルを選択します。 、生の明るい、そして暗い画像のスタックが今ロードする必要があります。
- その後、「プレビュー再構築」を選択し、再構成画像を可視化するために、「回転の中心を検出する]をクリックして回転の中心を見つけます。回転の中心の値は、手動で入力してプレビューすることができます。
- このインタフェースを使用することが環除去パラメータを変更するためのオプション、画像の種類（8、16、または32ビット）、画素範囲、画像の回転角度であり、トリミングされた領域を画定します。それぞれの新しいパラメータセットが「プレビュー再構成」ボタンを使用して可視化することができます。
- パラメータを選択したら、「実行」を選択することで、画像のスタック全体を再構築します。その後のすべてのデータファイルが指定した '出力ディレクトリ」で見つけることができ、デフォルトのディレクトリは、生データのフォルダ内の出力ファイルになります。
- プラグインにアクセスするには、（ちょうどImageJのフィジーの頭字語である）でフィジーを起動し、以下に示すように、メニュープラグイン→ALSmicroCT→NormalizeStack832newnamingを選択します。 ALS施設の利用者は、再構成プロセスを合理化するために設計されたいくつかのソフトウェアパッケージを統合するImageJの/フィジー、用のカスタムプラグインを使用して全体の再構成処理を行うことができます。
- 断層のからのアクセスの生データSPOTポータルを通じてNERSC（LBNLスーパーコンピュータ）サーバであるウェブサイトのhttp://spot.nersc.gov/、に行くことによって、任意のコンピュータから缶。
注：個々の研究者が彼らの特定のデータセットにアクセスするための独自のNERSCアカウントを持っている必要があります。ユーザー缶セットアップhttps://nim.nersc.gov/nersc_account_request.phpでアカウント。ビームラインでは、各研究グループは、ビームラインのアカウントが割り当てられます。このアカウントは、ビームラインのコンピュータにアクセスするために使用され、また、Globusのオンラインを使用して、ビームラインサーバから直接データにアクセスするために使用することができます。 - 2Dのスタックをロードすることによって、3Dと2Dの両方でデータを可視化する任意の3D解析ソフトに画像を再構成し。ここで紹介するサンプルおよび画像は、ビームライン8.3.2分析の任意のコンピュータでユーザーをビームラインするために利用可能である分析と可視化を実行するためにAvizoのソフトウェアを使用しています。
- データセットは、可視化ソフトウェアにアップロードされた後、特定のFEで定量情報を得るためにさらなるデータ分析を実行試料内atures。多くの場合、データセットは、出力データサイズを小さくするためにダウンサンプリングされます。しかし、これは忠実度を減らすボクセルサイズを増やし、もっと簡単なセグメンテーションのための画像表示をスムーズにすることができます。
- 2Dのスタックのヒストグラムを閾値処理することによって、目的のセグメントの機能を選択したスライスを再構築し、指定した範囲内の画素に新たな画素値を割り当てます。
- セグメント化されたボリュームおよび表面を可視化します。特徴は、セグメント化されると、それらはAvizoまたは任意の好適な視覚化ソフトウェアを使用して3Dで表示されています。これは、関心のある領域でのはんだボールのように、特定の機能の3D表面レンダリングを可能にします。
- 、関心の特徴が識別されるとひび割れ幅に関する情報などを介して、または割れ、機能がセグメント化と体積できるので、サンプル、 すなわち 、亀裂の大きさ、ビア、気孔率、欠陥などの機能を定量化、長さ、ボリュームを経由して空隙率分布tomogrを評価することによって定量することができますaphicデータセット。
- 異なる向きでサンプルを示すサンプルのムービーを作成します。映画1は、水平方向に画像化されたマイクロエレクトロニクスパッケージの異なる断面図とボリュームレンダリングビューの例を示しています。
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Representative Results
断層撮影法を使用して撮影された画像は、異なる減衰長とこれらの多の材料の厚さの関数としてのマイクロエレクトロニクスパッケージにおけるはんだ相互接続、金属トレース、および他の材料におけるX線の吸収差に起因し発生します。 SIPパッケージには、約80ミクロン直径の最初のレベルの相互接続（FLI）フリップチップC4はんだボールを有するセラミック基板に取り付け死ぬシリコンで構成され、中間レベルの相互接続（MLI）FR4エポキシ回路基板にこの基板を接続する350μm程度のはんだボール;を第二のレベルの相互接続（SLI）約650μmの回路基板の裏面側のBGAはんだボールそれは水平方向に配置されたとき、図2は、サンプルの概略図を示しています。この向きは、1つのスキャンのための視野にサンプル全体に適合するために選択した。 図3は 、同じ試料から3D画像を示します低TPT（ 表2）で1回のスキャンで画像化したパッケージ全体、。このデータを分析し、Avizoを用いて調製しました。マイクロエレクトロニクスパッケージの0.175°の角度増分は、180度以上の1025の画像が得られ、選択されました。 図3Aに貫通孔板、銅ビア、基板の一部が表示されている。 図3Bは、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）、ダイと基板の一角を示す関心領域にズームイン。これは全体のマルチレベルパッケージの個々のコンポーネントを検査することができますどのように迅速に示します。 図4は、FPGAのSIPパッケージにSRμTで検出された特徴を示しています。ここで、回路基板、VIAの、シリコンダイ、両基板、および相互接続のすべてのレベルが識別可能であるが。5と6は、相互接続の2つの異なるビューがdisplayeある3Dに特徴を視覚化する断層撮影データの使用を示す図 D。 図6は FLIとMLI接続で垂直走査し、CPUダイパッケージの3D画像を示しています。画像のために全体のサンプルは、1回のスキャンで捕捉されなかった垂直走査の向き、この姿勢タイル張りで、試料全体が必要であろう。図6Bは、拡大された2次元断層スライスを示しています。ここで、画質は、従来の撮像に長時間熱サイクル中に作成されたはんだボール内にクラックを観察するのに十分です。
断層のセットアップを示す図1の回路図。高度な光源（ローレンス・バークレー国立研究所、バークレーカリフォルニアUSA）でのビームライン8.3.2でハッチの概略図。 （図8.3.2マイクロトモグラフィーマニュアルから取られた、とでアクセスすることができます。http://microct.lbl.gov/manual）"ターゲット=" _空白 ">この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。
図のデータを再構成するための2ステップ。最終的な3Dを取得する工程を示す概略は、断層のセットアップからのサンプルの画像を再構成し。ここでのサンプルでは、水平方向に撮像されている16×16ミリメートルのSIPパッケージです。 この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。
図3のパッケージの3次元ボリュームレンダリング 。 8.7ミクロンの解像度および3分（A）のスキャン時間で撮像全体FPGA SIPパッケージの3Dレンダリングは、パッケージ全体を示し、（B）ズーム・イン FPGA基板と回路基板の配線の一角を示すパッケージ領域のビュー。13 この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。
FPGA SIPパッケージを使用して撮影したパッケージ。2D再構成されたスライスの断面を示す図4.断層画像 。このサンプルは、4.5μmの分解能と20分のスキャン時間で画像化しました。シリコンダイ、アンダーフィル、両基板、および相互接続のすべてのレベルを観察することができる。13 この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。
683 / 53683fig5.jpg "/>
3相互接続レベルの図5. 3Dボリュームレンダリング。8.7μmの分解能（3分のスキャン時間）で全体のSIPパッケージを示すセグメント化された3D画像。これは、相互接続（FLI、MLI、およびSLI）3つのレベルを示している。13 この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。
はんだボールで識別された図6.可視毛穴。FLIとMLIのはんだ接続と垂直方向に走査CPUダイパッケージの（A）は、3D再構成画像。大規模なセンターボイドと意図的な熱ストレステスト時に発生するクラックとMLIのはんだボールを示す2次元再構成したスライスの地域にズームイン（B）、 図13PLOAD / 53683 / 53683fig6large.jpg "ターゲット=" _空白 ">この図の拡大版をご覧になるにはこちらをクリックしてください。
パッケージの3Dおよび2Dで映画1断層像 （ 右クリックしてダウンロード ）。この映画は、異なる視点からの16×16ミリメートル2パッケージの3Dボリュームレンダリングを示しています。そして、パッケージ内からの内部情報を表示するために異なるスライスを通ってパン。
| PCO.4,000（4,008x2,672） | PCO.Edge（2,560x2,160）[OPTIQUEピーター*] | |||
| レンズ | ピクセル（ミクロン） | 視野（ミリメートル） | ピクセル（ミクロン） | 視野（ミリメートル） |
| 20X * | - | - | 0.33 | 0.8 |
| 10X | 0.9 | 3.6 | 0.69 | 1.7 |
| 5X | 1.8 | 7.2 | 1.3 | 3.3 |
| 2X | 4.5 | 18 | 3.25 | 8.3 |
| 1X | 9 | 36 | 6.5 | 16.6 |
ALSのビームライン8.3.2で利用可能なカメラやレンズを示す表1の詳細。
| ソース | 解決オプション | カメラ/レンズのマグ。 | ピクセルサイズ（ミクロン） | FOV幅（mm） | FOVの高さ（ミリメートル） | 画像の時間TPT（分） | FOV / TPT（2 /分） |
| シンクロトロンALS BL 8.3.2 | 低いです | A / 1X | 8.7 | 36 | 6 | 3 | 72 |
| 低いです | B / 1X | 6.5 | 16.6 | 6 | 3 | 33.2 | |
| MED | B / 2X | 3.3 | 8.3 | 6 | 3 | 16.6 | |
| MED | A / 2X | 4.5 | 18 | 6 | 20 | 5.4 | |
| 高い | B / 5X | 1.3 | 3.3 | 2.8 | 5 | 1.84 | |
| 高い | B / 10X | 0.65 | 1.7 | 1.4 | 11 | 0.22 | |
| ラボベースのソースMicroXCT-200 | 高い | - | 1.5-2 | 1.5-2 | 1.5-2 | 180-240 | 〜0.02 |
表2の解像度のまとめ、視野、および異なるカメラとレンズオプションの撮像時間。
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Discussion
プロトコルの項で説明したステップのすべては、マルチスケール、マルチ材料サンプルの高解像度の画像を得るために重要です。最も重要なステップの一つは、試料が取り付けおよび定量のために使用することができる品質の画像を得るために不可欠である光学系の焦点です。具体的には、サンプルのわずかな動きは、再構成画像にアーチファクトが発生し、解像度の劣化の原因となるデフォーカスとなります。画像品質の問題を回避するためには、次のサンプルをスキャンしながら、同時に行うことができるテスト画像を再構成することが重要です。これは、スキャンセットアップ中に発生した可能性がある問題や問題を特定するのに役立ちます。再構成画像に問題がある場合は取り付けやアライメントサンプリングするために細心の注意を払ってサンプルを再スキャンする必要があるかもしれません。セットアップの他の問題の間に、このようなLabVIEWでエラーとして、試料ステージモータ、または番目の欠如の問題を生じる可能性があります電子X線ビーム。ビームラインのウェブサイトで見つけることができるビームラインのマニュアル、上のトラブルシューティングのための詳細な手順があります。画像品質を向上させるためか、実験者がマニュアルに記載されていない問題に遭遇する場合は、さらにオプションを議論するためにビームラインの科学者に相談してください。
ここに示した数値はすべて、高い空間分解能と非破壊的試料内の特定の機能についての分析を実行する能力を有する画像にわずか数分で全体のマルチレベルのマイクロエレクトロニクスパッケージをSRμTを使用することの利点を強調表示します。ここで撮像されたサンプルについては再構成時間は、時間の下で行いました。 ALSでの広いエネルギースペクトルは、適切なフィルタリングと高および低原子番号の要素の両方のイメージングを可能にします。これは、クラック、ボイド、剥離、欠損、および大いに多くの定量化が可能になります。サンプルのいくつかについてはここで高速なデータ取得時間に助け連続断層撮影モードを画像化しました。しかしALSシンクロトロン施設で利用可能なエネルギー範囲のためにいくつかの制限があるSRμTを使用して画像化することができる材料およびボリュームの広い範囲があります。具体的には、高密度材料の厚さを制約することができます。
シンクロトロン源CTシステムのこの高分解能は、故障解析、組立プロセス開発の両方のための貴重な情報を提供します。対照的に卓上CTシステムの相対的に低い輝度単色エネルギーの選択を可能にし、困難銅またははんだ周囲の特徴の存在の欠陥を強調表示を有することができません。高速TPT時間で大きなサンプルサイズに対応する断層撮影技術の能力は、半導体産業の最上に重要です。 SRμTを使用して得られた結果は、マイクロエレクトロニクス14で新しいアプリケーションのフォワードパスを示唆しています。全体的に、将来のために、この分野における広範囲の可能性があります具体的には、サイクリング温度および環状ロードなど、その場の状況の下でこれらのマルチ材料のマルチスケールマイクロエレクトロニクスパッケージを、調査作業、。
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Disclosures
著者らは、開示することは何もありません。
Acknowledgments
この作品のLLNL部分は、契約DE-AC52-07NA27344下のローレンス・リバモア国立研究所による米国エネルギー省の後援の下で行いました。インテルコーポレーションの作成者は、データの収集、有用な議論の一部のためにインテル社からピリン劉、梁胡、ウィリアム・ハモンド、とカルロスOrdunoに感謝したいと思います。高度な光源は、契約番号DE-AC02-05CH11231下で米国エネルギー省のディレクター、科学局、基礎エネルギー科学のオフィスによってサポートされています。
Materials
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| Beamline 8.3.2 | Advanced Light Source, Berkeley, CA, USA | http://microct.lbl.gov/ |
References
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