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Chapters
- 00:05Title
- 01:21Etching of the Mesa
- 05:53Fabrication of the Ohmic Contacts
- 08:38Fabrication of the Titanium/Gold Schottky Leads
- 10:45Fabrication of the Aluminum Gates
- 11:08Fabrication of the Bonding Pads
- 11:54Dicing of the Sample
- 12:50Bonding
- 13:07Results: Confirming Gate Integrity
- 15:14Conclusion
इस पत्र गैलियम आर्सेनाइड heterostructures पर गेट से परिभाषित अर्धचालक पार्श्व क्वांटम डॉट्स के लिए एक विस्तृत निर्माण प्रोटोकॉल प्रस्तुत करता है. इन उपकरणों nanoscale क्वांटम सूचना संसाधन में या ऐसी सुसंगत चालकता माप के रूप में अन्य mesoscopic प्रयोगों के लिए क्वांटम बिट के रूप में इस्तेमाल के लिए कुछ इलेक्ट्रॉनों फंसाने के लिए उपयोग किया जाता है.
