/
/
Fabricage van flexibele beeldsensor op basis van laterale NIPIN fototransistoren
A subscription to JoVE is required to view this content. Sign in or start your free trial.
Chapters
- 00:05Title
- 00:26Si Doping and Isolation
- 02:12Sacrificial Oxide Layer Deposition
- 02:59Deposition of the First Layer of Polyimide and Performing the First Metallization
- 04:43Deposition of the Second Layer of Polyimide and Performing the Second Metallization
- 05:12Encapsulating the Sample with Polyimide and Opening via Holes and Mesh Structure
- 05:56Etching the Sacrificial Layer and Transferring the Sample to a Flexible Substrate
- 07:39Results: Current-Voltage Characteristics for the Phototransistor Array in the Curved State
- 08:45Conclusion
Presenteren we een gedetailleerde methode om een vervormbare laterale NIPIN fototransistor array voor gebogen beeldsensors. De fototransistor matrix met een open mesh-formulier, dat is samengesteld uit dunne silicium-eilanden en rekbare metalen interconnectoren, biedt flexibiliteit en rekbaarheid. De parameter analyzer kenmerkt de elektrische eigenschap van de gefabriceerde fototransistor.
