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Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films
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Crecimiento de la epitasa de haz molecular asistido por plasma de Mg3N2 y Zn3N2 Thin Films

DOI:
10.3791/59415-v

•

13:05 min

•

May 11, 2019

•

,
1Department of Electrical and Computer Engineering,University of Victoria

Chapters

  • 00:00Title
  • 00:57MgO Substrate Preparation
  • 01:50Operation of VG V80 MBE
  • 02:13Substrate Loading
  • 04:04Metal Flux Measurements
  • 05:59Nitrogen Plasma
  • 06:51In-situ Laser Light Scattering
  • 08:35Growth Rate Determination
  • 09:13Results
  • 10:46Conclusion

Summary

Automatic Translation

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Este artículo describe el crecimiento de películas epitaxiales de Mg3N2 y Zn3N2 en sustratos de MgO por epitaxiía de haz molecular asistida por plasma con gas N2 como fuente de nitrógeno y monitoreo óptico del crecimiento.

Tags

Plasma-assisted Molecular Beam EpitaxyMg3N2Zn3N2II-V Compound SemiconductorsAnti-bixbyite Crystal StructureMBE GrowthMgO SubstrateHigh-temperature AnnealingRHEEDQuartz Crystal MicrobalanceSample DegassingSample Transfer

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