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Microscopía electrónica de transmisión in situ con sesgo y fabricación de travesaños asimétricos basados en fase mixta a-VOx
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In Situ Transmission Electron Microscopy with Biasing and Fabrication of Asymmetric Crossbars Based on Mixed-Phased a-VOx
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Microscopía electrónica de transmisión in situ con sesgo y fabricación de travesaños asimétricos basados en fase mixta a-VOx

DOI:
10.3791/61026-v

•

09:49 min

•

May 13, 2020

•

, ,
1Functional Materials and Microsystems Research Group and the Micro Nano Research Facility,RMIT University, 2RMIT Microscopy and Microanalysis Facility,RMIT University

Chapters

  • 00:04Introduction
  • 00:52Fabrication Process and Electrical Characterization
  • 02:33Biasing Chip Mounting on Gridbar
  • 03:14Lamella Preparation and Biasing Chip Mounting
  • 06:50In Situ Transmission Electron Microscopy (TEM)
  • 07:42Results: Representative In Situ Electrical TEM
  • 09:04Conclusion

Summary

Automatic Translation

Automatic Translation

Aquí se presenta un protocolo para analizar los cambios nanoestructurales durante el sesgo in situ con microscopía electrónica de transmisión (TEM) para una estructura apilada de metal-aislante-metal. Tiene aplicaciones significativas en travesaños de conmutación resistiva para la próxima generación de circuitos lógicos programables y hardware de neuromimicking, para revelar sus mecanismos de operación subyacentes y aplicabilidad práctica.

Tags

In-situ Transmission Electron MicroscopyBiasingCrossbar DevicesAmorphous Vanadium OxideNano-structural ChangesMetal-insulator-metal DevicePhotolithographyPhysical Vapor DepositionLift-offBiasing ChipGridbar

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