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Die Verwendung von Aufopferungs Nanopartikel zu entfernen, die Auswirkungen von Shot-Rauschen in Kontaktlöchern Vorgefertigte durch Elektronenstrahl-Lithografie
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Kapitel
- 00:05Titel
- 01:20Derivatization and Characterization of Silicon Wafer Surfaces
- 02:14Gold Nanoparticle (GNP) Deposition into E-beam-patterned Holes
- 03:46Pol(methyl methacrylate) (PMMA) Photoresist Reflow and Dry- and Wet-etching
- 04:50Results: Reduction of Shot-noise by Deposition and Subsequent Etching of Sacrificial GNPs
- 06:29Conclusion
Einheitlicher Größe Nanopartikel können in Poly (methylmethacrylat) (PMMA) Photoresistfilme durch Elektronenstrahl (E-Strahl) Lithographie gemustert Schwankungen in Kontaktlochabmessungen entfernen. Das Verfahren beinhaltet die elektrostatische funnelling zum Zentrum und Ablagerung Nanopartikel in Kontaktlöchern, gefolgt von Photoresist-Reflow-und plasma- und Nassätzen Schritte.
