Waiting
Traitement de la connexion…

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
JoVE Journal
Engineering

Un abonnement à JoVE est nécessaire pour afficher ce contenu. Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.

Анализ контактных интерфейсов для одиноких GaN нанопроволоки устройств
 
Click here for the English version

Анализ контактных интерфейсов для одиноких GaN нанопроволоки устройств

Article DOI: 10.3791/50738-v 11:13 min November 15th, 2013
November 15th, 2013

Chapitres

résumé

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

Методика была разработана, который удаляет Ni / Au контакт металлических пленок от субстрата, чтобы для рассмотрения и определения характеристик контактной / подложки и контакт / NW интерфейсов отдельных устройств GaN нанопроволоки.

Tags

Физика выпуск 81 наноустройств (электронный) полупроводниковые материалы полупроводниковый прибор GaN нанопроволоки контакты морфология
Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
Simple Hit Counter