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Ohmsche Kontakt Fabrication unter Verwendung eines fokussierten Ionenstrahl-Technik und Elektrische Charakterisierung für Layer-Halbleiter-Nanostrukturen
 
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Ohmsche Kontakt Fabrication unter Verwendung eines fokussierten Ionenstrahl-Technik und Elektrische Charakterisierung für Layer-Halbleiter-Nanostrukturen

Article DOI: 10.3791/53200-v • 08:12 min • December 5th, 2015
December 5th, 2015 •
1, 2, 2, 2
1Graduate Institute of Applied Science and Technology, National Taiwan University of Science and Technology, 2Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology

Chapitres

Tags

Engineering Ausgabe 106 fokussierte Ionenstrahl (FIB) ohmschen Kontakt Halbleiterschicht Molybdän Diselenid (MoSe Molybdändisulfid (MoS Elektrische Leitfähigkeit Rasterkraftmikroskopie (AFM) hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) Feinbereichselektronenbeugung (SAED) Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDX)
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