Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method

00:04Title
00:49Preparation of the Sample and Aqueous Solutions
01:44Preparation of the Measuring Equipment
03:36Measurement and Data Processing
05:47Results: Normalized and Calculated μ-PCD Decay Curves for the n-type 4H-SIC Sample in Air and Aqueous Solutions
06:29Conclusion

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सेमीकंडक्टर्स में महत्वपूर्ण भौतिक मापदंडों में से एक के रूप में, कैरियर जीवनकाल इस के साथ साथ एक प्रोटोकॉल माइक्रोवेव, फोटोकंडेक्टिविटी क्षय विधि को रोजगार के माध्यम से मापा जाता है ।

कैरियर जीवनकाल मापन अर्धचालकों में माइक्रोवेव के माध्यम से प्रकाशचालकता क्षय विधि

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