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Journal
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Ingénierie
/
Mg
3
N
2
和 Zn
3
N
2
薄膜的等离子辅助分子束外延生长
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Ingénierie
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Journal JoVE
Ingénierie
Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg
3
N
2
and Zn
3
N
2
Thin Films
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Mg
3
N
2
和 Zn
3
N
2
薄膜的等离子辅助分子束外延生长
DOI:
10.3791/59415-v
•
13:05 min
•
May 11, 2019
•
Peng Wu
,
Thomas Tiedje
1
Department of Electrical and Computer Engineering
,
University of Victoria
Chapitres
00:00
Titre
00:57
MgO Substrate Preparation
01:50
Operation of VG V80 MBE
02:13
Substrate Loading
04:04
Metal Flux Measurements
05:59
Nitrogen Plasma
06:51
In-situ Laser Light Scattering
08:35
Growth Rate Determination
09:13
Résultats
10:46
Conclusion
Summary
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Traduction automatique
本文介绍了以N2气体为氮源和光生长监测的等离子体辅助分子束外延在MgO基板上Mg3 N
2
和Zn
3
N2的外延膜的生长情况。
Tags
Keywords: Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
Mg3N2
Zn3N2
II-V Compound Semiconductors
Anti-bixbyite Crystal Structure
MBE Growth
MgO Substrate
High-temperature Annealing
RHEED
Quartz Crystal Microbalance
Sample Degassing
Sample Transfer
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