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Rendu SiO2/Si Surfaces omniphobes en sculptant des microtextures à gaz comprenant des cavités ou des piliers réentrants
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Rendering SiO2/Si Surfaces Omniphobic by Carving Gas-Entrapping Microtextures Comprising Reentrant and Doubly Reentrant Cavities or Pillars
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Rendu SiO2/Si Surfaces omniphobes en sculptant des microtextures à gaz comprenant des cavités ou des piliers réentrants

DOI:
10.3791/60403-v

•

08:02 min

•

February 11, 2020

•

, , , , , ,
1Water Desalination and Reuse Center (WDRC), Biological and Environmental Science and Engineering (BESE) Division,King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), 2Core Labs,King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)

Chapitres

  • 00:04Introduction
  • 01:08Cavity Design and Wafer Cleaning
  • 02:17Photolithography
  • 03:15Silica (SiO2) and Silicon (Si) Layer Etching
  • 04:30Thermal Oxide Growth and Etching
  • 06:00Results: Representative Wetting Behaviors of Gas-Entrapping Microtextures (GEMs)
  • 07:08Conclusion

Summary

Traduction automatique

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Ce travail présente des protocoles de microfabrication pour la réalisation de cavités et de piliers avec des profils de reentrant et doublement réentrants sur les plaquettes SiO2/Si utilisant la photolithographie et la gravure sèche. Les surfaces microtexturées résultantes démontrent la répulsivité liquide remarquable, caractérisée par le piégeage à long terme robuste de l’air sous les liquides mouillants, en dépit de la wettability intrinsèque de la silice.

Tags

SiO2/Si SurfacesOmniphobicGas-entrapping MicrotexturesReentrant CavitiesDoubly Reentrant CavitiesPillarsPhotolithographyDry EtchingMicrofabricationSilicon WaferThermal OxidePiranha SolutionHexamethyldisilazanePhotoresistSpin CoatingUV Exposure

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