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Renderización de superficies SiO2/Si omnifóbicas por el tallado microtexturas que atrapan el gas que comprende cavidades o pilares reentrantes y doblemente reentrantes
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Rendering SiO2/Si Surfaces Omniphobic by Carving Gas-Entrapping Microtextures Comprising Reentrant and Doubly Reentrant Cavities or Pillars
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Renderización de superficies SiO2/Si omnifóbicas por el tallado microtexturas que atrapan el gas que comprende cavidades o pilares reentrantes y doblemente reentrantes

DOI:
10.3791/60403-v

•

08:02 min

•

February 11, 2020

•

, , , , , ,
1Water Desalination and Reuse Center (WDRC), Biological and Environmental Science and Engineering (BESE) Division,King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), 2Core Labs,King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)

Chapitres

  • 00:04Introduction
  • 01:08Cavity Design and Wafer Cleaning
  • 02:17Photolithography
  • 03:15Silica (SiO2) and Silicon (Si) Layer Etching
  • 04:30Thermal Oxide Growth and Etching
  • 06:00Results: Representative Wetting Behaviors of Gas-Entrapping Microtextures (GEMs)
  • 07:08Conclusion

Summary

Traduction automatique

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Este trabajo presenta protocolos de microfabricación para lograr cavidades y pilares con perfiles reentrantes y doblemente reentrantes en wafers SiO2/Si utilizando fotolitografía y grabado en seco. Las superficies microtexturizadas resultantes demuestran una notable repelencia líquida, caracterizada por una sólida atrapadura a largo plazo del aire bajo líquidos humectantes, a pesar de la humectabilidad intrínseca de la sílice.

Tags

SiO2/Si SurfacesOmniphobicGas-entrapping MicrotexturesReentrant CavitiesDoubly Reentrant CavitiesPillarsPhotolithographyDry EtchingMicrofabricationSilicon WaferThermal OxidePiranha SolutionHexamethyldisilazanePhotoresistSpin CoatingUV Exposure

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