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Mg₃N₂ 및 Zn 3 N₂ 박막의 플라즈마 보조 분자 빔 에피택시 성장

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Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg₃N₂ and Zn₃N₂ Thin Films

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Mg₃N₂ 및 Zn 3 N₂ 박막의 플라즈마 보조 분자 빔 에피택시 성장

DOI:

10.3791/59415-v

•

13:05 min

•

May 11, 2019

•

Peng Wu, Thomas Tiedje

¹Department of Electrical and Computer Engineering,University of Victoria

Capitoli

00:00Titolo
00:57MgO Substrate Preparation
01:50Operation of VG V80 MBE
02:13Substrate Loading
04:04Metal Flux Measurements
05:59Nitrogen Plasma
06:51In-situ Laser Light Scattering
08:35Growth Rate Determination
09:13Risultati
10:46Conclusion

Summary

Traduzione automatica

이 문서는 질소 소스 및 광학 성장 모니터링으로 N₂ 가스와 플라즈마 보조 분자 빔 에피택시에 의해 MgO 기판에 Mg₃N₂ 및 Zn₃N_2의 에피택시 필름의 성장을 설명합니다.

Tags

Keywords: Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy Mg3N2 Zn3N2 II-V Compound Semiconductors Anti-bixbyite Crystal Structure MBE Growth MgO Substrate High-temperature Annealing RHEED Quartz Crystal Microbalance Sample Degassing Sample Transfer

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