Rivista
/
/
Het effect van anodisatieparameters op de di-elektrische laag van aluminiumoxide van dunne-filmtransistors
JoVE Journal
Chimica
Author Produced
È necessario avere un abbonamento a JoVE per visualizzare questo.  Accedi o inizia la tua prova gratuita.
JoVE Journal Chimica
The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
DOI:

12:32 min

May 24, 2020

, , , ,

Capitoli

  • 00:00Introduction
  • 02:48Preparation of the Electrolytic Solution
  • 03:55Substrate Cleaning
  • 05:24Al Gate Electrode Evaporation
  • 06:31Anodization of the Al Layer
  • 07:41ZnO Active Layer Deposition
  • 08:38Drain and Source Electrodes Deposition
  • 09:36TFT Electrical Characterization
  • 10:09Risultati
  • 11:22Conclusion

Summary

Traduzione automatica

Anodisatie parameters voor de groei van de aluminiumoxide diëlektrische laag van zink-oxide dunne-film transistors (TAT's) zijn gevarieerd om de effecten op de elektrische parameter reacties te bepalen. Analyse van variantie (ANOVA) wordt toegepast op een Plackett-Burman ontwerp van experimenten (DOE) om de productieomstandigheden te bepalen die resulteren in geoptimaliseerde apparaatprestaties.

Video correlati

Read Article