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L’effet des paramètres d’anodisation sur la couche diélectrique d’oxyde d’aluminium des transistors minces
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The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
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L’effet des paramètres d’anodisation sur la couche diélectrique d’oxyde d’aluminium des transistors minces

DOI:
10.3791/60798-v

•

12:32 min

•

May 24, 2020

•

, , , ,
1School of Technology and Sciences,São Paulo State University – UNESP, 2Scholl of Electronic Engineering,Bangor University, 3Institute of Geosciences and Exact Sciences,São Paulo State University – UNESP

Capitoli

  • 00:00Introduction
  • 02:48Preparation of the Electrolytic Solution
  • 03:55Substrate Cleaning
  • 05:24Al Gate Electrode Evaporation
  • 06:31Anodization of the Al Layer
  • 07:41ZnO Active Layer Deposition
  • 08:38Drain and Source Electrodes Deposition
  • 09:36TFT Electrical Characterization
  • 10:09Risultati
  • 11:22Conclusion

Summary

Traduzione automatica

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Les paramètres d’anodisation pour la croissance de la couche diélectrique d’aluminium-oxyde des transistors à couches minces de zinc-oxyde (TTET) sont variés pour déterminer les effets sur les réponses de paramètres électriques. L’analyse de la variance (ANOVA) est appliquée à une conception d’expériences Plackett-Burman (DOE) afin de déterminer les conditions de fabrication qui donnent lieu à des performances optimisées de l’appareil.

Tags

Aluminum OxideAnodizationThin-film TransistorsDielectric LayerElectrolytic SolutionSubstrate CleaningAluminum Electrode DepositionAnodization ProcessElectrical CharacterizationPlackett-Burman Design Of Experiments

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