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Fabricação de porta-ajustáveis ​​dispositivos de grafeno para tunelamento estudos de microscopia com Coulomb Impurezas
 
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Fabricação de porta-ajustáveis ​​dispositivos de grafeno para tunelamento estudos de microscopia com Coulomb Impurezas

Article DOI: 10.3791/52711-v • 11:42 min • July 24th, 2015
July 24th, 2015 •
1,2, 1, 1, 1, 1, 1,3, 1, 1, 1, 1, 1, 4, 4, 1,5,6, 1,5,6, 1,5,6
1Department of Physics, University of California at Berkeley, 2Department of Chemistry, University of California at Berkeley, 3Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of California at Berkeley, 4National Institute for Materials Science (Japan), 5Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, 6Kavli Energy NanoSciences Institute, University of California at Berkeley and Lawrence Berkeley National Laboratory

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Engenharia Edição 101 Física o grafeno gating eletrostática microscopia de tunelamento (STM) Coulomb impureza deposição de vapor químico (CVD) poli (metacrilato de metila) (PMMA) de transferência soldagem de fios
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