大型单层矩形 SnSe 片的常压制备
Summary
提出了一种在常压石英管炉系统中, 在低成本的2/Si 介质晶片上生长大型单层矩形 SnSe 片的两步法制造技术。
Abstract
硒化锡 (SnSe) 属于具有 phosphorene 的屈曲结构的层状金属硫材料的家族, 并在二维电子学器件中显示了应用潜力。虽然已经开发了许多合成 SnSe 纳米晶的方法, 但制作大型单层 SnSe 片的简单方法仍然是一个巨大的挑战。在常压石英管中, 采用直接两步法制作方法, 给出了在常用的2/Si 绝缘衬底上使用普通的单层矩形 SnSe 片的实验方法。炉系统。采用气相输送沉积技术和氮蚀刻工艺相结合, 制备了平均厚度为6.8 Å的单层矩形 SnSe 片和大约30µm x 50 µm 的横向尺寸。对矩形 SnSe 片的形貌、显微结构和电学性能进行了表征, 获得了优良的结晶度和良好的电子性能。这篇文章的两步制作方法可以帮助研究人员发展其他类似的二维, 大型, 单层材料使用大气压系统。
Introduction
近年来, 由于石墨烯的成功分离, 对二维 (2D) 材料的研究已经绽放, 这是因为2D 材料在其散装对应物上具有优异的电学、光学和机械性能1,2,3,4,5. 2D 材料在光电和电子设备中显示有前途的应用6,7, 催化和水分裂8,9, 表面增强拉曼散射传感10、11、等等可剥离成2D 材料的大量分层材料显示出巨大的多样性, 包括从半金属石墨烯到半导体过渡金属 dichalcogenides (TMDs) 和黑色磷 (BP) 对绝缘六角氮化硼 (h BN)。这些材料及其异质结构近年来得到了很好的研究, 并展示了许多新颖的特性和应用12。其他研究较少, 但同样有希望的2D 分层材料, 在通过 (气体, 气体, 和 InSe)13,14和伊娃通过 (GeS, 考试, 和 SnS)15,16,17家庭有最近也受到关注。
SnSe 属于正交结构, 由在pnma空间群中排列的原子组成, 并在层内屈曲, 就像 phosphorene 的晶体结构一样。SnSe 是一个窄隙半导体与带隙 0.6 eV, 但更著名的是其更独特的热电性能, 因为它被报告有一个非常高的 ZT (热电图的优点) 值2.6 在 923 K18,19, 由于其独特的电子结构和低导热性。虽然散装 SnSe 晶体是商用的, 并且可以通过已知的方法来增长, 如布里奇曼-Stockbarger 方法20或化学蒸气传输方法21, 在介电上生长大尺寸的少量层和单层 SnSe基板更具挑战性。有许多支持2D 材料生长的基板, 如高定向热解石墨 (HOPG)、云母、2、Si3N4和玻璃。低成本的2电介质是最常用的基板, 因为它们允许制造场效应晶体管, 其中介质作为电气后门的一部分。根据我们的经验, 与石墨烯和 TMDs 不同, 很难获得少量层或单层 SnSe 片的微机械剥离方法, 因为散装 SnSe 有一个高夹层结合能22 32 兆伏特/Å2, 这导致厚层, 甚至沿剥落片的边缘。因此, 为了研究少量层和单层 SnSe 的新型电子性质, 需要一种新的、简单的、低成本的合成方法, 在绝缘衬底上制备高质量的大型单层 SnSe 晶体, 特别是由于 SnSe 具有作为热电应用的候选者, 在低和中温范围内的能量转换方面表现出很大的希望19。
一些研究人员开发了合成高质量 SnSe 晶体的方法。刘等。23和 Franzman et 。24使用解决方案阶段方法合成不同形状的 SnSe 纳米晶, 如量子点、nanoplates、单晶薄片、nanoflowers 和 nanopolyhedra, 使用 SnCl2和烷基磷化膦硒或二烷基二diselenium 为前体。Baumgardner et 。25通过将双 [双 (三甲基硅) 氨基] 锡 (II) 注入热 trioctylphosphine, 合成了胶体 SnSe 纳米粒子, 并获得了直径为4-10 纳米的纳米晶。Boscher et 。26使用常压化学气相沉积技术, 利用四氯化锡和硒化二元前体, 在玻璃基底上获得 SnSe 薄膜, 其氯化锡比为硒化二乙酯, 其合成SnSe 薄膜约100纳米厚, 银色黑色的外观。赵等。27在低真空系统中使用了蒸气输送沉积, 在云母基体上合成了单晶 SnSe nanoplates, 得到了1-6 µm 的平方 nanoplates。然而, 使用这些技术不可能获得单层 SnSe 晶体。李等。28使用 SnCl4和 SeO2前体的一壶合成方法成功合成单层单晶 SnSe 薄片。然而, 他们只能获得大约300毫微米的横向大小为他们的薄片。我们最近发布了我们的方法, 以发展高质量的, 大型的单层 SnSe 晶体, 这是阶段纯29。这项详细的协议旨在帮助新的从业者使用这种方法种植其他大型高品质的超薄2D 材料。
Protocol
Representative Results
Discussion
本文首次报道了气体输送沉积法和氮气蚀刻技术在常压系统中的结合。在该协议中, 关键步骤是制作单层 SnSe 片的部分。
虽然可以将散装试样蚀刻成高质量的单层样品, 但散装试样的厚度应均匀, 试样的分解温度应高于蚀刻温度。由于大多数散装样品完全蚀刻, 因此所得到的样品的覆盖率很低。
对于扫描隧道显微术 (STM) 的应用, 单层样品的覆盖密度不够。?…
Disclosures
The authors have nothing to disclose.
Acknowledgements
这项研究得到1000名中国青年科学家、国家自然科学基金 (51472164 号赠款)、A * 星航标灯方案 (赠款 152 70 00014) 和新加坡国立大学高级2D 技术中心提供的设施支持。材料.
Materials
| SnSe powder | Sigma-Aldrich | 1315-06-6 | (99.999%) toxic, carcinogenic |
| Ar gas | explosive | ||
| H2 gas | flammable, explosive | ||
| SiO2/Si wafer | 300 nm thick SiO2 on heavily doped Si | ||
| Acetone | Sigma-Aldrich | 67-64-1 | toxic, flammable |
| Isopropanol | Sigma-Aldrich | 67-63-0 | flammable |
| Quartz tube | Dongjing Quartz Company, China | ||
| Ceramic boat | Dongjing Quartz Company, China | ||
| Optical microscope | Olympus, BX51 | ||
| Atomic force microscopy | Bruker | Using FastScan-A probe type and ScanAsyst-air | |
| Scanning electron microscopy | JEOL JSM-6700F | ||
| transmission electron microscopy | FEI Titan | ||
| Tube furnace | MTI Corporation |
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