Journal
/
Engineering
/
単電子揚水用のシリコン金属酸化膜半導体量子ドット
JoVE Journal
Engineering
This content is Free Access.
JoVE Journal Engineering
Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

単電子揚水用のシリコン金属酸化膜半導体量子ドット

DOI:
10.3791/52852-v

•

14:58 min

•

June 03, 2015

•

, , , , ,
1School of Electrical Engineering & Telecommunications,University of New South Wales, 2QCD Labs, COMP Centre of Excellence, Department of Applied Physics,Aalto University

Chapters

  • 00:05Title
  • 03:11Creation of the Field Oxide Layer, Ohmic Contacts, and the Gate Oxide
  • 07:10Gate Patterning
  • 09:20Device Integrity Tests
  • 10:57Results: Device Integrity Test Results and Millikelvin Measurements
  • 12:13Conclusion

Summary

Automatic Translation

Automatic Translation

The fabrication process and experimental characterization techniques relevant to single-electron pumps based on silicon metal-oxide-semiconductor quantum dots are discussed.

Tags

Keywords: SiliconMetal-oxide-semiconductorQuantum DotsSingle-electron PumpingQuantum ComputingQuantum MetrologyFabricationCharacterizationCharge Pumping

Article

Embed

ADD TO PLAYLIST

Usage Statistics

Related Videos

check_url/52852?article_type=v

1分子蛍光イメージングのためのコンパクトな量子ドット
check_url/52852?article_type=v

暖かい原子蒸気に勾配エコー量子メモリ
check_url/52852?article_type=v

ゲート定義のGaAs / AlGaAs系横量子ドットのナノファブリケーション
check_url/52852?article_type=v

走査プローブ単電子容量分光
check_url/52852?article_type=v

シングルGaNナノ細線デバイスのための接触界面の解析
check_url/52852?article_type=v

Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds
check_url/52852?article_type=v

シリコン直接ウェハー接合による均一ナノスケールキャビティの作製
check_url/52852?article_type=v

原子物理学外部共振器半導体レーザーの構築とキャラクタリゼーション
check_url/52852?article_type=v

液体環境におけるパルスUVレーザー照射によるシリコン表面の濡れ性の選択エリア変更
check_url/52852?article_type=v

ライト強化フッ酸不動態化：バルクシリコン欠陥を検出するための高感度テクニック

Read Article